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Pb基二維材料設(shè)計(jì)及量子性質(zhì)調(diào)控

發(fā)布時(shí)間:2020-09-23 10:57
   首先我們研究了氫化二維薄膜BiPb的量子自旋霍爾效應(yīng)(QSH)及Rashba自旋劈裂(RSS)性質(zhì)。能帶拓?fù)湫耘cRashba自旋劈裂一直是凝聚態(tài)物理中兩個(gè)被廣泛探索的新奇特性,但在二維材料體系中它們共存的情況仍較少出現(xiàn)。由于在自旋電子學(xué)方面有巨大應(yīng)用潛力,拓?fù)浣^緣體(TIs)中的自旋軌道耦合(SOC)也得到了諸多關(guān)注。Pb元素與Bi元素有著強(qiáng)自旋軌道耦合作用,有可能導(dǎo)致材料呈現(xiàn)出非平庸拓?fù)鋺B(tài),所以我們通過第一性原理計(jì)算了一種新型二維BiPbH薄膜結(jié)構(gòu),它能夠?qū)崿F(xiàn)非平庸拓?fù)湫耘c較大Rashba自旋劈裂的共存,由p_(x,y) p_z軌道能帶反轉(zhuǎn)誘導(dǎo)的非平庸量子態(tài)可通過Z_2拓?fù)洳蛔兞考斑吘墤B(tài)進(jìn)行證明。更有意義的是,在這個(gè)系統(tǒng)中共存的拓?fù)鋷逗蚏ashba自旋劈裂能夠在一個(gè)較大的應(yīng)力范圍內(nèi)(-6%到6%)保持穩(wěn)定。而且在適當(dāng)?shù)膽?yīng)力范圍內(nèi),Γ點(diǎn)帶隙與Rashba劈裂分別最大可達(dá)到0.4 eV與53.1 meV,使其有可能在室溫中實(shí)現(xiàn)量子自旋霍爾效應(yīng)。我們也研究了鹵化對二維薄膜BiPb量子拓?fù)湫再|(zhì)的影響。與氫化BiPb結(jié)構(gòu)相同,由Bi和PbX(X=F,Cl,Br,I)組成的二維六角蜂窩狀薄膜結(jié)構(gòu)仍是大帶隙二維拓?fù)浣^緣體。同樣它們的非平庸拓?fù)湫约皃_(x,y) p_z能帶反轉(zhuǎn)可通過Z_2拓?fù)洳蛔兞考白孕齽恿挎i定的邊緣態(tài)證實(shí)。更加重要的是,這些鹵化薄膜結(jié)構(gòu)的Rashba劈裂可以在更大的應(yīng)力范圍內(nèi)達(dá)到81 meV。另外,我們通過構(gòu)建BiPbX/h-BN異質(zhì)結(jié),發(fā)現(xiàn)襯底對二維BiPbX薄膜在費(fèi)米面附近的能帶幾乎沒有影響,因而BiPbX的拓?fù)湫再|(zhì)在BiPbX/h-BN異質(zhì)結(jié)中得以保持?紤]到此結(jié)構(gòu)拓?fù)湫再|(zhì)的魯棒性,本工作為設(shè)計(jì)基于二維薄膜材料的拓?fù)淞孔悠骷峁┝诵缕脚_。另一方面,我們還研究了二維薄膜PbTe的拓?fù)渚w絕緣體(TCIs)性質(zhì)。盡管拓?fù)渚w絕緣體已在三維材料體系中得到了廣泛研究和實(shí)驗(yàn)觀測,但基于二維體系的拓?fù)渚w絕緣體材料仍較少報(bào)道。通過研究二維PbTe(001)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì),我們發(fā)現(xiàn)單層和三層PbTe(001)薄膜是具有較大帶隙(~0.3 eV)的本征拓?fù)渚w絕緣體,因此具有在室溫下應(yīng)用的潛在價(jià)值。進(jìn)一步分析發(fā)現(xiàn)其拓?fù)渚w絕緣體性質(zhì)起源于p_(x,y) p_z能帶反轉(zhuǎn),這是由軌道雜化效應(yīng)及界面量子限制效應(yīng)聯(lián)合導(dǎo)致的。特別重要的是,通過施加雙軸應(yīng)力,可以觀測到半金屬(semimetal)-拓?fù)渚w絕緣體-平庸絕緣體的轉(zhuǎn)變,施加單軸應(yīng)力則導(dǎo)致材料出現(xiàn)Z_2非平庸態(tài)。我們還發(fā)現(xiàn)單層PbTe薄膜生長在NaI半導(dǎo)體襯底上依然能夠保持拓?fù)渚w絕緣體態(tài),因而關(guān)于PbTe(001)薄膜量子態(tài)相變及拓?fù)鋷墩{(diào)控的研究,將為實(shí)現(xiàn)低損耗拓?fù)淞孔悠骷峁┮粋(gè)新思路。
【學(xué)位單位】:濟(jì)南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TB34
【部分圖文】:

示意圖,二維材料,示意圖


濟(jì)南大學(xué)碩士學(xué)位論文第一章 緒 論言石墨上成功剝離出石墨烯以來[1],二維材料開始受到研究者們的廣泛關(guān)注料在結(jié)構(gòu)上有著優(yōu)異的延展性,在性質(zhì)上有著與三維結(jié)構(gòu)不同的新穎性采用三維材料的情況下,可以應(yīng)用新型二維材料來滿足各種用途。近些年多具備應(yīng)用意義的二維材料體系,例如硅烯、鍺烯、磷烯、硼墨烯、Mo合物、BN 蜂巢結(jié)構(gòu)等等[2-8],憑借它們獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì),各領(lǐng)域都基新型高性能電子器件。

示意圖,絕緣體,拓?fù)?二維


Pb 基二維材料設(shè)計(jì)及量子性質(zhì)調(diào)控電流方向與電子自旋間的規(guī)律,能夠?qū)崿F(xiàn)電子的低散耗傳導(dǎo),借助于這個(gè)效應(yīng),拓緣體的應(yīng)用將給世界信息產(chǎn)業(yè)帶來巨大變革。拓?fù)浣^緣體材料的亮點(diǎn)在于其體態(tài)是的,但邊緣有著螺旋極化的零帶隙邊緣態(tài),使得邊緣是導(dǎo)電的,如圖 1-2(a)所示,由于材料固有的自旋軌道耦合(SOC)作用[26]導(dǎo)致的,而且這個(gè)金屬性的邊緣態(tài)是空間拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)決定的,與實(shí)空間的材料表面無關(guān)。由于這個(gè)性質(zhì),二維拓?fù)浣^緣體抵抗非磁雜質(zhì)的魯棒性,這使它們更合適應(yīng)用在自旋輸運(yùn)相關(guān)的電子器件上。

示意圖,自旋,霍爾效應(yīng),量子


圖 1-3 HgTe/CdTe 量子阱的量子自旋霍爾效應(yīng)示意圖。早先的報(bào)道中,提到了許多體系存在 Rashba 效應(yīng),然而這些體系大多只展Rashba 自旋劈裂[65]。目前,研究者們發(fā)現(xiàn)了一些貴金屬[66,67]和重金屬表面大的 Rashba 自旋劈裂,劈裂強(qiáng)度通過系數(shù)R表示,其R大小在范圍 0.3進(jìn)而又發(fā)現(xiàn)一部分體系能進(jìn)一步增強(qiáng) Rashba 自旋劈裂,比如 Bi/Ag 合金u (111)上的 Bi 薄膜[71]、塊狀 BiTeI 等,R在 1.36 eV 以上[72]。近來在化材料 GeTe[73]、有機(jī)/無機(jī)雜化的 CH3NH3PbX3鹵化鈣鈦礦[74]、CdTe/InSb構(gòu)中也有關(guān)于 Rashba 自旋劈裂研究,這些結(jié)果為自旋場效應(yīng)管(FET)新的思路。第 IV 族 Pb 相對應(yīng)的第 V 族元素 Bi 同樣具有很大的自旋軌道耦合強(qiáng)度,也設(shè)計(jì)了基于 Bi 元素的化合物,用來實(shí)現(xiàn)大帶隙的非平庸拓?fù)鋺B(tài)[21,50,56,58上,Drozdov 等人[85]通過掃描隧道顯微鏡(STM)觀測到了二維 Bi 的一

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本文編號:2825240

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