Pb基二維材料設(shè)計(jì)及量子性質(zhì)調(diào)控
【學(xué)位單位】:濟(jì)南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TB34
【部分圖文】:
濟(jì)南大學(xué)碩士學(xué)位論文第一章 緒 論言石墨上成功剝離出石墨烯以來[1],二維材料開始受到研究者們的廣泛關(guān)注料在結(jié)構(gòu)上有著優(yōu)異的延展性,在性質(zhì)上有著與三維結(jié)構(gòu)不同的新穎性采用三維材料的情況下,可以應(yīng)用新型二維材料來滿足各種用途。近些年多具備應(yīng)用意義的二維材料體系,例如硅烯、鍺烯、磷烯、硼墨烯、Mo合物、BN 蜂巢結(jié)構(gòu)等等[2-8],憑借它們獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì),各領(lǐng)域都基新型高性能電子器件。
Pb 基二維材料設(shè)計(jì)及量子性質(zhì)調(diào)控電流方向與電子自旋間的規(guī)律,能夠?qū)崿F(xiàn)電子的低散耗傳導(dǎo),借助于這個(gè)效應(yīng),拓緣體的應(yīng)用將給世界信息產(chǎn)業(yè)帶來巨大變革。拓?fù)浣^緣體材料的亮點(diǎn)在于其體態(tài)是的,但邊緣有著螺旋極化的零帶隙邊緣態(tài),使得邊緣是導(dǎo)電的,如圖 1-2(a)所示,由于材料固有的自旋軌道耦合(SOC)作用[26]導(dǎo)致的,而且這個(gè)金屬性的邊緣態(tài)是空間拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)決定的,與實(shí)空間的材料表面無關(guān)。由于這個(gè)性質(zhì),二維拓?fù)浣^緣體抵抗非磁雜質(zhì)的魯棒性,這使它們更合適應(yīng)用在自旋輸運(yùn)相關(guān)的電子器件上。
圖 1-3 HgTe/CdTe 量子阱的量子自旋霍爾效應(yīng)示意圖。早先的報(bào)道中,提到了許多體系存在 Rashba 效應(yīng),然而這些體系大多只展Rashba 自旋劈裂[65]。目前,研究者們發(fā)現(xiàn)了一些貴金屬[66,67]和重金屬表面大的 Rashba 自旋劈裂,劈裂強(qiáng)度通過系數(shù)R表示,其R大小在范圍 0.3進(jìn)而又發(fā)現(xiàn)一部分體系能進(jìn)一步增強(qiáng) Rashba 自旋劈裂,比如 Bi/Ag 合金u (111)上的 Bi 薄膜[71]、塊狀 BiTeI 等,R在 1.36 eV 以上[72]。近來在化材料 GeTe[73]、有機(jī)/無機(jī)雜化的 CH3NH3PbX3鹵化鈣鈦礦[74]、CdTe/InSb構(gòu)中也有關(guān)于 Rashba 自旋劈裂研究,這些結(jié)果為自旋場效應(yīng)管(FET)新的思路。第 IV 族 Pb 相對應(yīng)的第 V 族元素 Bi 同樣具有很大的自旋軌道耦合強(qiáng)度,也設(shè)計(jì)了基于 Bi 元素的化合物,用來實(shí)現(xiàn)大帶隙的非平庸拓?fù)鋺B(tài)[21,50,56,58上,Drozdov 等人[85]通過掃描隧道顯微鏡(STM)觀測到了二維 Bi 的一
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本文編號:2825240
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