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單層二硫化鉬接枝聚硅烷復(fù)合材料制備及表征研究

發(fā)布時間:2020-09-07 17:46
   二硫化鉬由于其獨特的片層狀結(jié)構(gòu),展現(xiàn)出其在潤滑、阻燃等方面的優(yōu)異性能,并且在生活和生產(chǎn)中有著十分廣泛的應(yīng)用。硅是地殼中含量較高的非金屬元素,主要由硅原子構(gòu)成的高分子聚硅烷具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能。若將二硫化鉬和聚硅烷接枝在一起,可形成新型聚硅烷-二硫化鉬功能材料。本文采用傳統(tǒng)空位接枝、共價接枝兩種方法制備單層二硫化鉬接枝聚硅烷復(fù)合物。傳統(tǒng)空位接枝法是利用二硫化鉬剝層后產(chǎn)生S空位,接枝物所含巰基中的S原子能取代S空位,形成二硫化鉬接枝復(fù)合物。共價接枝法是利用二硫化鉬剝層后表面帶負(fù)電,能夠與具有正電中心的分子通過親核取代反應(yīng)形成二硫化鉬接枝復(fù)合物。本文采用傳統(tǒng)空位接枝法制備了2種二硫化鉬接枝復(fù)合物,對此類MoS_2-g-PSI復(fù)合物進(jìn)行紅外光譜、紫外光譜、EDS表征,結(jié)果表明在MoS_2-g-PSI復(fù)合物中存在接枝的聚硅烷,SEM表征結(jié)果也能清晰地看到接枝的聚硅烷形貌,XPS測試結(jié)果顯示復(fù)合物中1T相構(gòu)型的MoS_2含量升高,比剝層MoS_2中1T相構(gòu)型的MoS_2含量還高,說明接枝使得1T相構(gòu)型的MoS_2能穩(wěn)定存在,證明接枝成功。對MoS_2-g-PSI復(fù)合物進(jìn)行電導(dǎo)率測試,結(jié)果表明MoS_2接枝聚硅烷后導(dǎo)電性能得到了提升。本文用共價接枝法制備了14種二硫化鉬接枝復(fù)合物,對MoS_2-PSI復(fù)合物進(jìn)行紅外光譜、XRD、EDS表征,結(jié)果表明在MoS_2-PSI復(fù)合物中存在接枝的聚硅烷,SEM、TEM表征結(jié)果也能清晰地看到接枝的聚硅烷形貌。XPS表征結(jié)果顯示復(fù)合物中1T相構(gòu)型的MoS_2含量升高,比剝層MoS_2中還高,說明接枝使得1T相構(gòu)型的MoS_2能穩(wěn)定存在,XPS表征結(jié)果中出現(xiàn)結(jié)合能為101.9eV的峰,證明復(fù)合材料中存在Si-S鍵,聚硅烷與二硫化鉬共價接枝成功。對MoS_2-PSI復(fù)合物進(jìn)行電導(dǎo)率測試,結(jié)果表明MoS_2接枝聚硅烷后導(dǎo)電性能得到了提升,且單層MoS_2分別接枝線型、枝狀、網(wǎng)狀聚硅烷后的復(fù)合物的導(dǎo)電性能依次增強。
【學(xué)位單位】:哈爾濱理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:TB332
【部分圖文】:

聚硅烷,結(jié)構(gòu)示意圖


1.2.1 聚硅烷的結(jié)構(gòu)聚硅烷是一類高分子有機聚合物,是由硅烷單體均聚或共聚反應(yīng)得到的。由于硅烷單體種類繁多,合成方法不同,所以制出的聚硅烷構(gòu)型也有很多種,其中最為常見的是(a)線型聚硅烷,(b)枝狀聚硅烷,(c)網(wǎng)狀聚硅烷,如圖 1-1 所示。

二硫化鉬,結(jié)構(gòu)示意圖,范德華力


圖 1-2 二硫化鉬結(jié)構(gòu)示意圖Figure 1-2 The structure diagram of MoS2化鉬的性質(zhì)鉬(MoS2)是二維單層通過范德華力堆積在一起而的范德華力減弱了,所以二硫化鉬的摩擦系數(shù)低,從

實驗裝置圖


實驗裝置圖

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

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本文編號:2813643

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