摻雜對氮化硼和氮化銦的電子結(jié)構(gòu)調(diào)控引起的磁學(xué)變化
【學(xué)位授予單位】:吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TN304;TB383.1
【圖文】:
圖 1.1 納米材料的制備方法主要介紹化學(xué)氣相沉積法,水熱法,溶膠-凝膠法和高能球磨法和各自的優(yōu)缺點。氣相沉積是在一個有一定溫度的襯底上,利用高溫將反應(yīng)物蒸而使反應(yīng)物氣體在高溫環(huán)境下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成納米材料。這的反應(yīng)物在高溫下反應(yīng),生成物在保護(hù)氣體環(huán)境中遇冷凝固,以收集納米尺寸的目的產(chǎn)物,從而達(dá)到制備各種納米材料的過的優(yōu)點是得到的納米材料純度高,顆粒尺寸小,顆粒均勻,而性高。此外,化學(xué)氣相沉積法的設(shè)備價格低,易于操作,有著景。但是這種方法也有沉積速率低,所需襯底熔點溫度高等缺
圖 1.2 滿殼層原子總數(shù)與表面原子的百分比關(guān)系[7]量子尺寸效應(yīng)指的是當(dāng)顆粒的尺寸減小到某一數(shù)值時,費(fèi)米級由準(zhǔn)連續(xù)變?yōu)殡x散能級,或者能隙變寬的現(xiàn)象。當(dāng)能級間距電能或超導(dǎo)態(tài)的凝聚能時,就必須考慮量子尺寸效應(yīng)。量子尺顆粒的光、電、磁、聲、熱等特性與宏觀材料的相關(guān)特性有著小尺寸效應(yīng)是指當(dāng)納米顆粒的尺寸減小到與光波波長、德布態(tài)的相干波長或透射深度等物理的特征尺寸相當(dāng)或者更小時界將會破壞。將導(dǎo)致聲、光、電、磁等呈現(xiàn)出與普通非納米材
方氮化硼(hBN)和三方氮化硼同素異構(gòu)體中,hBN 具有和石廣泛關(guān)注。由于 hBN 通常為白色層中,B 與 N 原子通過 sp2的雜每層與上下層之間則是以 ABAB層之間依靠范德華力結(jié)合,相對動。hBN 和石墨烯的晶格常數(shù)和 所示。表 1.1 hBN 和石墨烯的物性參hBN .44 pm, c=665.62 pm a=144 pm sp2
【相似文獻(xiàn)】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 戴憲起;王建利;閆慧娟;;氮化銦(0001)干凈和缺陷表面結(jié)構(gòu)研究[J];河南師范大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2008年02期
2 溫淑敏;姚世偉;趙春旺;王細(xì)軍;侯清玉;;單軸應(yīng)變對氮化銦電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的影響[J];計算物理;2017年06期
3 吳新華;伊厚會;;氮化銦(000鈇)表面結(jié)構(gòu)的第一原理研究[J];赤峰學(xué)院學(xué)報(自然科學(xué)版);2012年07期
4 ;直接發(fā)光綠色氮化銦鎵(InGaN)激光試驗成功[J];光機(jī)電信息;2009年09期
5 科發(fā);;瞄準(zhǔn)未來——太赫茲晶體管[J];半導(dǎo)體信息;2015年03期
6 王福學(xué);薛成山;莊惠照;艾玉杰;孫麗麗;楊兆柱;張曉凱;;氮化銦粉末的熱穩(wěn)定性(英文)[J];稀有金屬材料與工程;2007年S3期
7 王福學(xué);薛成山;莊惠照;張曉凱;艾玉杰;孫麗麗;楊兆柱;;氮化銦粉末在N_2氣中的熱穩(wěn)定性(英文)[J];稀有金屬材料與工程;2007年S3期
8 潘葳,沈文忠,小川博司,郭其新;半導(dǎo)體氮化銦(InN)的電學(xué)性質(zhì)[J];物理學(xué)進(jìn)展;2004年02期
9 戴憲起,吳新華;氮化銦(0001)面氧吸附研究[J];河南師范大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2005年03期
10 丁少鋒;范廣涵;李述體;肖冰;;氮化銦p型摻雜的第一性原理研究[J];物理學(xué)報;2007年07期
相關(guān)博士學(xué)位論文 前3條
1 蘆慶;摻雜對氮化硼和氮化銦的電子結(jié)構(gòu)調(diào)控引起的磁學(xué)變化[D];吉林大學(xué);2019年
2 俞笑竹;新型半導(dǎo)體材料的制備及性能研究[D];上海交通大學(xué);2012年
3 吳國光;InN材料的RF-MBE法生長及其發(fā)光器件研究[D];吉林大學(xué);2012年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條
1 王福學(xué);氮化銦及氮化鎵的制備及特性研究[D];山東師范大學(xué);2007年
2 張卓群;半導(dǎo)體氮化銦薄膜非線性光學(xué)及發(fā)光特性研究[D];上海交通大學(xué);2008年
3 賈照偉;新型半導(dǎo)體氮化銦薄膜的電學(xué)輸運(yùn)特性[D];上海交通大學(xué);2007年
4 董蘊(yùn)萱;氮化銦及二氧化錫半導(dǎo)體納米材料的制備及物性研究[D];吉林大學(xué);2017年
5 于雅琳;氮鎵銦和氮化銦半導(dǎo)體納米材料的制備與表征[D];燕山大學(xué);2014年
6 王竹平;半導(dǎo)體氮化銦薄膜非線性光學(xué)吸收性質(zhì)的研究[D];上海交通大學(xué);2010年
7 劉久泉;氮化銦納米線和納米管的制備與表征[D];東北師范大學(xué);2007年
8 崔培水;InN外延薄膜成核與重構(gòu)的機(jī)理研究[D];西安電子科技大學(xué);2014年
9 闕茂飛;氮空位引起的氮化銦相變—第一性原理研究[D];北京理工大學(xué);2016年
10 龍雙;新型氮化銦基太赫茲耿氏二極管研究[D];西安電子科技大學(xué);2013年
本文編號:2797455
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2797455.html