石墨烯及相關二維過渡金屬硫化物的制備與應用
【學位授予單位】:中國石油大學(北京)
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:TB34;TQ127.11
【圖文】:
圖 1.1 石墨的存在形式:從零維到三維Fig. 1.1 Graphitic forms: From 0-D to 3-D1.2 石墨烯的性質與制備1.2.1 石墨烯的優(yōu)異特性石墨烯具有多種優(yōu)異的性質,研究發(fā)現(xiàn)原始石墨烯具有極高的室溫載流子(電子與空穴)遷移率(2.3×105cm2/(Vs))與熱導率(3,000 W m/K),1 TPa 的楊氏模量和高達 130 GPa 的強度,約 2.3%的光吸收以及相較于金屬銅百萬倍的高電流密度[16-18]。石墨烯另一特性是可以很容易地進行化學功能化。雖然石墨烯由于擁有許多優(yōu)越性能被賦予了“奇跡材料”的綽號。但是,其中許多已經測得的數(shù)據(jù)只有在最高質量的樣品上才能得到(如機械剝離石墨烯)和沉積在特殊基底(六方氮化硼)上的石墨烯[19]。迄今為止,盡管其他石墨烯制
圖 1.5 CVD 法生長石墨烯機理示意圖Fig. 1.5 Growth kinetics in CVD-produced graphene on various catalysts: Case of CH4on Niand Cu盡管在碳化硅襯底上生產石墨烯具有吸引力,但有仍有一些缺點阻礙了石墨烯的真正應用。例如,在常規(guī)生產中控制大面積石墨烯層的厚度非常具有挑戰(zhàn)性。另一個是此生長具有很大的不確定性,如涉及不同的外延生長 SiC 極面(即 Si 面或 C 面)等問題。還有研究發(fā)現(xiàn) C 層表面生長的多層石墨烯中觀察到石墨烯層的扭曲堆疊,此種現(xiàn)象未在 Si 表面上觀察到。這種外延生長過程的隨機性和不確定性對石墨烯的物理和電子性質有重大的影響。在 C 面上,扭曲的界面會導致不同的解耦石墨烯層,每層都表現(xiàn)為單層[35]。但是,硅面生長的石墨烯多層薄膜的電子屬性仍然存在爭議,未來的研究仍需要了解其生長過程的機制。
中國石油大學(北京)博士學位論文逆的缺陷[52],但是利用化學法還原的氧化石墨烯的可以部分恢復其電導率[53]然其值在數(shù)量級上仍然低于 CVD 法合成的石墨烯和機械剝離的石墨烯。
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