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二維過(guò)渡金屬硫族化合物的制備及鐵磁性研究

發(fā)布時(shí)間:2020-07-17 05:17
【摘要】:當(dāng)今時(shí)代,信息的爆炸性增長(zhǎng)及后摩爾定律的新技術(shù)發(fā)展對(duì)器件數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度的提升和能耗的降低提出了新的要求,而自旋電子器件的發(fā)展可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電子電荷和自旋的同時(shí)調(diào)控,有望解決磁存儲(chǔ)密度問(wèn)題。二維自旋電子學(xué)材料相對(duì)于其塊體需要更少的功耗,并符合未來(lái)自旋電子器件微型化和功能最大化的需求,被視為構(gòu)建未來(lái)超薄自旋電子器件的理想材料。近年來(lái),二維過(guò)渡金屬硫族化合物(Transition metal dichalcogenides,TMDs)由于其優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)而引起研究者的廣泛關(guān)注。近期,二維TMDs材料室溫鐵磁性的陸續(xù)報(bào)道使其有望應(yīng)用于未來(lái)超薄自旋電子學(xué)器件。而如何從實(shí)驗(yàn)上賦予二維TMDs內(nèi)稟的鐵磁性是其在未來(lái)自旋電子器件發(fā)展擬解決的關(guān)鍵問(wèn)題。本論文利用化學(xué)氣相沉積、水熱合成等方法,制備了MoS_2、MoSe_2等二維TMDs材料,通過(guò)形貌調(diào)控、過(guò)渡金屬元素?fù)诫s、相結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變等實(shí)驗(yàn)手段,在MoS_2、MoSe_2等材料中引入了本征的室溫鐵磁性,同時(shí)利用調(diào)節(jié)實(shí)驗(yàn)參數(shù)(制備溫度、離子輻照劑量、摻雜含量、相轉(zhuǎn)變程度等)實(shí)現(xiàn)了對(duì)樣品鐵磁性的調(diào)控,并對(duì)樣品鐵磁性的起源與變化機(jī)制進(jìn)行了深入的研究,主要內(nèi)容如下:1.利用化學(xué)氣相沉積法分別在SiO_2/Si襯底和碳布上生長(zhǎng)了MoSe_2納米片,并且通過(guò)改變實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)MoSe_2的形貌進(jìn)行了調(diào)控。磁測(cè)量結(jié)果表明制備所得的MoSe_2納米片具有本征室溫鐵磁性,在室溫下測(cè)得飽和磁化強(qiáng)度(M_s)為1.39emu/g,第一性原理計(jì)算結(jié)果表明其鐵磁性與樣品的zig-zag邊緣態(tài)及面內(nèi)的本征缺陷態(tài)有關(guān)。而通過(guò)改變實(shí)驗(yàn)溫度調(diào)控樣品的邊緣態(tài)與缺陷的數(shù)量,可以有效實(shí)現(xiàn)對(duì)MoSe_2納米片的鐵磁性調(diào)控。在本文中,我們將制備溫度由860℃調(diào)升至940℃后,樣品的M_s值由1.39 emu/g降低至了0.015 emu/g。2.利用水熱法制備了若干種過(guò)渡金屬元素元素(Fe、Co、Mn、Cr、Cu)摻雜的MoS_2納米片。磁測(cè)量結(jié)果表明過(guò)渡金屬元素?fù)诫s(10%)可以在MoS_2納米片中引入一定的鐵磁性,并且隨著摻雜量的增加樣品的鐵磁性普遍存在著先增大后減小的規(guī)律。在室溫下測(cè)得各個(gè)元素?fù)诫sMoS_2樣品的最大M_s值分別為Fe:0.247 emu/g,Co:0.2 emu/g,Mn:0.015 emu/g,Cr:0.016 emu/g,Cu:0.023emu/g。另外,我們利用第一性原理計(jì)算、晶體場(chǎng)理論和束縛磁極化子模型對(duì)鐵磁性的產(chǎn)生機(jī)制進(jìn)行了解釋。3.通過(guò)表面活化與多相復(fù)合的方法,在二維MoS_2及MoSe_2材料中引入了1T@2H相結(jié)構(gòu),并且通過(guò)改變?nèi)軇岱磻?yīng)時(shí)間實(shí)現(xiàn)了1T與2H相結(jié)構(gòu)比例的調(diào)控。磁性測(cè)量結(jié)果表明1T相結(jié)構(gòu)的引入能使樣品表現(xiàn)出鐵磁性(MoS_2最大M_s值:1.9 memu/g;MoSe_2最大M_s值:8 memu/g),并且鐵磁性隨著1T相結(jié)構(gòu)比例的增長(zhǎng)呈現(xiàn)出先增強(qiáng)后減弱的趨勢(shì)。根據(jù)晶體場(chǎng)理論的分析,我們發(fā)現(xiàn)1T相結(jié)構(gòu)中的Mo原子能夠提供磁矩,并且當(dāng)1T相與2H相結(jié)構(gòu)比例相當(dāng)時(shí),體系的鐵磁性最強(qiáng)。根據(jù)這樣的思路,我們將ReS_2與MoS_2進(jìn)行復(fù)合,制備出了Re_xMo_(1-x)-x S_2三元化合物,結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過(guò)調(diào)節(jié)Re與Mo的比例,其不同相結(jié)構(gòu)的比例與鐵磁性的強(qiáng)弱也會(huì)隨之變化,在實(shí)驗(yàn)中當(dāng)Re元素?fù)诫s量達(dá)到17%時(shí),樣品的M_s值為8 memu/g。
【學(xué)位授予單位】:蘭州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TB303;O482.5
【圖文】:

硫族化合物,過(guò)渡金屬,種類,電子能帶結(jié)構(gòu)


圖 1.1 過(guò)渡金屬硫族化合物(TMDs)材料的種類[63]除此以外,TMDs 材料還具有相似的結(jié)構(gòu)特點(diǎn):它們的塊體材料由 X-層通過(guò)范德華相互作用堆疊而成;可以由塊材剝離得到單分子層材料(如 所示)。根據(jù)第一性原理計(jì)算方法得到它們的電子能帶結(jié)構(gòu),結(jié)果發(fā)現(xiàn)

分子通式,二維材料,硫化物


具有MX2分子通式的硫化物二維材料的結(jié)構(gòu)

能帶結(jié)構(gòu),多層結(jié)構(gòu),單層,堆垛層


人們發(fā)現(xiàn) MX2材料的理化性質(zhì)隨著堆垛層數(shù)的不同也存在著明顯的差異。如圖1.3 所示,以 MoS2為例,研究者通過(guò)理論計(jì)算發(fā)現(xiàn),其塊體結(jié)構(gòu)具有間接帶隙(1.3 eV),隨著堆垛層數(shù)的減少,MoS2會(huì)發(fā)生由間接帶隙向直接帶隙的轉(zhuǎn)變,而單層結(jié)構(gòu)具有 1.8 eV 的直接帶隙[72,73]。這種不同結(jié)構(gòu)下能帶結(jié)構(gòu)的差異直接影響到 MoS2的發(fā)光性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)。此外,MoSe2,WSe2和 WS2等材料的能帶結(jié)構(gòu)也會(huì)隨著堆垛層數(shù)的變化而出現(xiàn)差異[74-76]。此外,計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明單層結(jié)構(gòu)的 TMDs 材料在光電二極管、光學(xué)探測(cè)器以及集成電

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本文編號(hào):2759027

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