二維過(guò)渡金屬硫族化合物的制備及鐵磁性研究
【學(xué)位授予單位】:蘭州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TB303;O482.5
【圖文】:
圖 1.1 過(guò)渡金屬硫族化合物(TMDs)材料的種類[63]除此以外,TMDs 材料還具有相似的結(jié)構(gòu)特點(diǎn):它們的塊體材料由 X-層通過(guò)范德華相互作用堆疊而成;可以由塊材剝離得到單分子層材料(如 所示)。根據(jù)第一性原理計(jì)算方法得到它們的電子能帶結(jié)構(gòu),結(jié)果發(fā)現(xiàn)
具有MX2分子通式的硫化物二維材料的結(jié)構(gòu)
人們發(fā)現(xiàn) MX2材料的理化性質(zhì)隨著堆垛層數(shù)的不同也存在著明顯的差異。如圖1.3 所示,以 MoS2為例,研究者通過(guò)理論計(jì)算發(fā)現(xiàn),其塊體結(jié)構(gòu)具有間接帶隙(1.3 eV),隨著堆垛層數(shù)的減少,MoS2會(huì)發(fā)生由間接帶隙向直接帶隙的轉(zhuǎn)變,而單層結(jié)構(gòu)具有 1.8 eV 的直接帶隙[72,73]。這種不同結(jié)構(gòu)下能帶結(jié)構(gòu)的差異直接影響到 MoS2的發(fā)光性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)。此外,MoSe2,WSe2和 WS2等材料的能帶結(jié)構(gòu)也會(huì)隨著堆垛層數(shù)的變化而出現(xiàn)差異[74-76]。此外,計(jì)算和實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明單層結(jié)構(gòu)的 TMDs 材料在光電二極管、光學(xué)探測(cè)器以及集成電
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本文編號(hào):2759027
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