過渡金屬摻雜二氧化鈦與石墨烯納米復合材料的制備及其光催化性能
【學位授予單位】:蘭州理工大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:O643.36;TB332
【圖文】:
碩士學位論文銳鈦礦和板鈦礦的結(jié)構(gòu)可以用(TiO6)八面體來討論。這三的畸變和八面體鏈的組裝模式而不同。銳鈦礦型可以邊所構(gòu)成的四方相結(jié)構(gòu),板鈦礦型和金紅石型是由共邊體組成。銳鈦礦型和金紅石礦型兩種晶型結(jié)構(gòu)均可由相示,在金紅石結(jié)構(gòu)中,每一個 TiO6八面體與相鄰的 ,其中 2 個共邊,其余 8 個共頂點。在銳鈦礦結(jié)構(gòu)中,每 8 個 TiO6八面體,其中 4 個共邊,其余 4 個共頂點,
圖 1.2 幾種半導體的能帶邊位置光致電子轉(zhuǎn)移到被吸附粒子的能力取決于半導體的還原電位。導帶底部的能級實際上是光電子的還原勢光孔的氧化能力,每個值反映了系統(tǒng)促進還原和氧化半導體材料催化劑吸收能量(E)大于帶隙寬度(Eg)的光(h 表示普朗克常數(shù);c 表示真空光速; 表示光的波的光吸收閾值(λg)和帶隙寬度(Eg)之間滿足關(guān)系,即:λg (nm)=1240/Eg (eV)紅石 TiO2的晶格結(jié)構(gòu)的差異導致不同的密度和電子。通過能帶結(jié)構(gòu)公式計算,銳鈦礦型 TiO2的帶隙寬閾值為 413nm,光電反應(yīng)過程中僅能被 387nm 紫外光僅有 4%左右。用下,光生電子和光生空穴遷移到 TiO2催化劑的表O2表面發(fā)生氧化還原反應(yīng),遷移到 TiO2表面的電子和·和 O2-·,遷移到 TiO2表面的空穴與吸附在其表面的
圖 1.3 TiO2光催化機理圖氧化過程可以簡單的表示為:TiO2+ hν→TiO2+h+···························TiO2+ hν→ecb- +hvb+ ························O2+ ecb- →O2·- ·································H2O+hvb+→ OH + H+·························O2·-+H+→HO2·································2HO2·→H2O2+O2·······························H2O2+ ecb- → OH+OH-························OH+Organic dye→CO2+H2O ·················述的反應(yīng)過程可得,因為光生電子-空穴對的存在,氧化還原了具有強氧化性的自由基,如:·OH 和·O2-等。這些活潑的自化所有的有機物,使有機物氧化分解轉(zhuǎn)化為二氧化碳和水及其。同時,由于活潑自由基的氧化性很強,氧化反應(yīng)不會停滯在中產(chǎn)生中間產(chǎn)物,就不會產(chǎn)生二次污染,是目前性價比較高的催
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本文編號:2751521
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