【摘要】：PVD物理氣相沉積技術(shù)是一種無污染、無公害的鍍膜技術(shù),被廣泛應(yīng)用于耐蝕、耐磨、高硬質(zhì)薄膜制備。磁控濺射技術(shù)因其具有基片溫升低、濺射速率快兩大突出優(yōu)點,在模具、刀具、建筑裝飾行業(yè)等廣泛應(yīng)用。CrNx薄膜具有硬度高、耐溫高、抗氧化、耐磨擦等性能,是一種廣泛應(yīng)用的硬質(zhì)薄膜。然而采用磁控濺射進(jìn)行大面積鍍CrNx薄膜往往會出現(xiàn)一些針孔缺陷、脫膜、表面凸起物,甚至露底通孔缺陷,影響了CrNx薄膜的使用。消除和減少薄膜沉積過程中缺陷的生成,以及對其形成機(jī)理的認(rèn)識是目前薄膜應(yīng)用領(lǐng)域研究的熱點。本論文利用中頻磁控濺射孿生靶技術(shù)進(jìn)行了CrNx薄膜制備的工藝研究,探索工藝參數(shù)對缺陷形成、分布狀況和薄膜性能的影響,確定缺陷在薄膜中的位置和產(chǎn)生因素,為進(jìn)一步消除和減少薄膜缺陷提供理論和實驗指導(dǎo)。具體實驗結(jié)果:1、工藝參數(shù)對薄膜性能和缺陷的影響(1)在偏壓電源離子清洗時,得到了氮分壓、靶功率、基底偏壓等對CrNx薄膜的性能和缺陷的規(guī)律影響,并得到了不同厚度對應(yīng)的較好工藝參數(shù)。(2)采用輝光表面清洗成功得到了高性能的CrNx薄膜,研究了輝光放電清洗增強(qiáng)沉積薄膜性能的物理機(jī)制;(3)0.5μm金屬鉻渡層厚度,可以得到較高性能和較少缺陷的CrNx薄膜。2、介紹了CrNx薄膜中各類結(jié)構(gòu)缺陷的形狀、結(jié)構(gòu)特征和影響因素,指出對應(yīng)缺陷的成因。
【學(xué)位授予單位】：北京印刷學(xué)院
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TB383.2

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 余東海;王成勇;成曉玲;宋月賢;;磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展[J];真空;2009年02期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 桑利軍;ECR等離子體輔助原子層沉積Al_2O_3薄膜的研究及其參數(shù)診斷[D];北京印刷學(xué)院;2009年

2 陸駿;新型薄膜缺陷顯微檢測技術(shù)的研究[D];浙江大學(xué);2007年

本文編號：2747512