Y摻雜CdO薄膜的性能研究
發(fā)布時(shí)間:2020-06-16 13:29
【摘要】:透明導(dǎo)電氧化物(TCO)材料由于可以同時(shí)具有很高的電導(dǎo)率和從可見光到近紅外波段的透光性得到廣泛的應(yīng)用。近年來由于光伏器件和顯示屏等方面的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的透明導(dǎo)電氧化物材料已經(jīng)不能滿足需求。相比于傳統(tǒng)的TCO材料,CdO薄膜有更高的電導(dǎo)率(1×104S/cm)和遷移率(100cm~2/Vs),而且載流子濃度大于10~(21)/cm~3。但是CdO薄膜的本征帶隙只有2.2eV,這一特性嚴(yán)重限制了 CdO薄膜的在紫外波段的透光性。為了解決這個(gè)問題,可以將金屬元素?fù)诫s入CdO薄膜中,通過Burstein-Moss效應(yīng)來調(diào)整其帶隙的大小。我們首先通過射頻濺射法制備了 Y摻雜的CdO薄膜,并對(duì)不同Y摻雜濃度的薄膜性能以及快速退火對(duì)薄膜性能的影響進(jìn)行了研究。我們還制備了 In和Y共摻雜的CdO薄膜,對(duì)其性能和退火對(duì)共摻雜薄膜的影響進(jìn)行了研究。通過射頻濺射法制備的Y摻雜CdO薄膜都是立方巖鹽CdO相,Y在CdO晶格中取代Cd離子的位點(diǎn),提供一個(gè)自由電子給導(dǎo)帶,使薄膜的載流子濃度上升。薄膜在可見光及近紅外區(qū)域的平均透過率在75%-95%,摻雜濃度9%的薄膜光學(xué)帶隙3.09eV,本征帶隙增加了 0.4eV。9%摻雜的薄膜載流子濃度下降是由于Y有原子態(tài)Y和Y3+兩種存在形式,薄膜遷移率快速下降主要是Y的局域d態(tài)與CdO的導(dǎo)帶之間的反鍵相互作用所導(dǎo)致。退火后載流子濃度快速增加,電阻率降低。1.4%摻雜的薄膜在500℃退火后,有122cm~2/Ns的高遷移率和1.5×10~(-4)Ω·cm的低電阻率。在退火過程中薄膜平均晶粒尺寸增大,減少了晶粒邊界的散射,薄膜遷移率增加。In和Y的共摻雜能有效地提高薄膜的載流子濃度至10~(21)/cm~3,同時(shí)電阻率在10~(-4)Ω·cm。In_2O_3靶濺射功率10W時(shí),薄膜載流子濃度n~8.66×10220/cm~3,遷移率 μ~52.3cm~2/Vs,電阻率 ρ~1.36×10~(-4)·cm,500℃退火后,載流子濃度~10~(21)/cm~3,遷移率、電導(dǎo)率也略微上升。Y的摻雜能有效地提高CdO薄膜的性能和光學(xué)帶隙,摻雜濃度2.4%的CYO薄膜在退火溫度500℃時(shí)退火一分鐘,其載流子濃度n~6.3×10~(20)/cm~3,遷移率μ~75cm~2/Vs,電阻率ρ~1.3×10~(-4)·cm,這可以與商業(yè)用的透明導(dǎo)電氧化物材料ITO的導(dǎo)電性相媲美。
【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB383.2;TQ132.44
【圖文】:
在巖鹽氧化物中,例如氧化鎘(CdO),陽離子插入位點(diǎn)也可以作逡逑為施主19]。逡逑圖1.1[1()]介紹了工業(yè)相關(guān)的透明導(dǎo)電氧化物電阻率的歷史概況。改進(jìn)了這些逡逑材料的摻雜和生長參數(shù)之后,電阻率下降了很多,但只有近幾年才有研宄電阻逡逑率低于10_5Q_cm,故而對(duì)氧化鎘進(jìn)行摻雜得到了廣泛的關(guān)注[U_M,5]。逡逑102邋p邐I邐I邐I邐I邋:逡逑"邋Doped邋Sn02邐■逡逑廣邐■邐Doped邋ZnO逡逑-10"3邋rnD邋z邋%邋i逡逑£邐:邐A邋D邋*>邋□邋?men邋gn邋^邐;逡逑f邋:;邋4#4邐A邐:逡逑Ii0-4r邋/邐i逡逑■邋Doped邋ln203邐?邋?邐■逡逑-邋K邋2邋3邐Doped邋CdO邋^逡逑?邋?;逡逑i05邋L邐1邐1邐1邐1—逡逑1970邐1980邐1990邐2000邐2010逡逑Year逡逑圖1.1邋1970年至今透明導(dǎo)電氧化物的電阻率變化[5_邋llMfl逡逑對(duì)透明導(dǎo)電氧化物摻雜的方法就是替換陽離子或者陰離子。摻雜進(jìn)去的替逡逑換離子可以使電導(dǎo)率提升好幾個(gè)數(shù)量級(jí),如鋁在氧化鋅中,錫在氧化銦中,但逡逑由于典型的透明導(dǎo)電氧化物的電子遷移率很低(AZO,ITO?50邋cm2/Vs),通常逡逑需要重?fù)诫s。載流子濃度需要達(dá)到102lcm'3的量級(jí)來滿足電阻率10_4N希悖懟鋇膩義弦。栽嵾掺遭櫘戚^攏緇钚院芨擼菊韉閎畢菔侵饕氖芴,层^チ瞬迦脲義轄サ睦胱櫻拗屏嗽亓髯優(yōu)ǘ鵲淖畬籩。这隔櫺为租傉君f送該韉嫉繆躉義銜锏牟粼酉。諒T┎鉤ト畢縈捎詰繢朐又噬⑸浠嶠檔妥艿那ㄒ坡
本文編號(hào):2716110
【學(xué)位授予單位】:中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB383.2;TQ132.44
【圖文】:
在巖鹽氧化物中,例如氧化鎘(CdO),陽離子插入位點(diǎn)也可以作逡逑為施主19]。逡逑圖1.1[1()]介紹了工業(yè)相關(guān)的透明導(dǎo)電氧化物電阻率的歷史概況。改進(jìn)了這些逡逑材料的摻雜和生長參數(shù)之后,電阻率下降了很多,但只有近幾年才有研宄電阻逡逑率低于10_5Q_cm,故而對(duì)氧化鎘進(jìn)行摻雜得到了廣泛的關(guān)注[U_M,5]。逡逑102邋p邐I邐I邐I邐I邋:逡逑"邋Doped邋Sn02邐■逡逑廣邐■邐Doped邋ZnO逡逑-10"3邋rnD邋z邋%邋i逡逑£邐:邐A邋D邋*>邋□邋?men邋gn邋^邐;逡逑f邋:;邋4#4邐A邐:逡逑Ii0-4r邋/邐i逡逑■邋Doped邋ln203邐?邋?邐■逡逑-邋K邋2邋3邐Doped邋CdO邋^逡逑?邋?;逡逑i05邋L邐1邐1邐1邐1—逡逑1970邐1980邐1990邐2000邐2010逡逑Year逡逑圖1.1邋1970年至今透明導(dǎo)電氧化物的電阻率變化[5_邋llMfl逡逑對(duì)透明導(dǎo)電氧化物摻雜的方法就是替換陽離子或者陰離子。摻雜進(jìn)去的替逡逑換離子可以使電導(dǎo)率提升好幾個(gè)數(shù)量級(jí),如鋁在氧化鋅中,錫在氧化銦中,但逡逑由于典型的透明導(dǎo)電氧化物的電子遷移率很低(AZO,ITO?50邋cm2/Vs),通常逡逑需要重?fù)诫s。載流子濃度需要達(dá)到102lcm'3的量級(jí)來滿足電阻率10_4N希悖懟鋇膩義弦。栽嵾掺遭櫘戚^攏緇钚院芨擼菊韉閎畢菔侵饕氖芴,层^チ瞬迦脲義轄サ睦胱櫻拗屏嗽亓髯優(yōu)ǘ鵲淖畬籩。这隔櫺为租傉君f送該韉嫉繆躉義銜锏牟粼酉。諒T┎鉤ト畢縈捎詰繢朐又噬⑸浠嶠檔妥艿那ㄒ坡
本文編號(hào):2716110
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