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銀納米線透明導(dǎo)電薄膜霧度特性及透明加熱器件研究

發(fā)布時間:2020-06-14 14:44
【摘要】:隨著時代的發(fā)展變遷,市場對于柔性電子器件的需求越來越明顯,柔性透明導(dǎo)電材料是實現(xiàn)柔性器件的關(guān)鍵之一。銀納米線透明導(dǎo)電薄膜具有優(yōu)異的光學(xué)和電學(xué)性能,在柔性器件等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而,銀納米線透明導(dǎo)電薄膜較高的霧度和較低耐受溫度制約了其在柔性顯示、透明加熱器件等領(lǐng)域的應(yīng)用。本論文通過電鍍金屬Ni改善了銀納米線表面的散射特性,降低了玻璃基底上銀納米線透明導(dǎo)電膜的霧度,由于所鍍金屬將銀納米線導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)之間的搭接處進(jìn)行了互連,導(dǎo)電膜整體的方阻也有明顯下降。電鍍電壓對Ni在銀納米線表面的均勻沉積有一定影響,電壓為3 V、7 V和9 V時都會在銀納米線表面形成不均勻的Ni球,當(dāng)電鍍電壓為5 V時,Ni鍍層較為均勻,對導(dǎo)電膜霧度降低較為明顯;電鍍時間過短(10s)時,Ni未對銀線形成完整包覆,霧度降低不夠明顯,電鍍時間過長(60s)時,銀線逐漸長粗,對導(dǎo)電膜的霧度不利,經(jīng)過優(yōu)化后選擇合適的電鍍時間為30 s。電鍍金屬Cu和Sn對銀納米線導(dǎo)電膜的霧度均沒有改善作用。通過在銀納米線表面涂布上一層納米二氧化硅顆粒,可以在一定程度上降低以PET為基材的透明導(dǎo)電膜的霧度。研究結(jié)果表明,Si O2的粒徑是重要的影響因素。其顆粒直徑越小,排列越致密,對于透明導(dǎo)電膜的霧度改善越明顯,直徑為20 nm時,對導(dǎo)電膜霧度有良好的降低作用,而SiO2的粒徑為50 nm、100 nm和200 nm時,顆粒間有空隙且導(dǎo)電膜的表面粗糙度增加,霧度反而升高。二氧化硅顆粒涂布濕膜厚度決定了涂覆到銀納米線透明導(dǎo)電膜上顆粒的量,當(dāng)其量過多時,對透明導(dǎo)電薄膜霧度的降低作用逐漸消失并產(chǎn)生不利影響,經(jīng)過優(yōu)化后選擇的最佳涂布濕膜厚度為20μm。通過在銀納米線表面電鍍上一層耐熱金屬鎳,對銀納米線形成殼層保護(hù),將銀納米線的最高耐受溫度從169℃提升到了284℃以上。在不同形狀石英基底上構(gòu)筑的透明加熱器件均顯示出良好的耐熱性能。大石英管透明加熱器件在30 V的工作電壓下,可以維持284.3℃的穩(wěn)態(tài)溫度,并且經(jīng)過10次220℃的熱循環(huán)沖擊后,器件熱性能沒有任何損失。嘗試了使用本實驗構(gòu)筑的透明加熱器件燒水以及加熱氧化銅粉,這些應(yīng)用實例都證明了器件具有良好的實用意義,特別是在實驗室可視化教學(xué)方面,很有應(yīng)用潛力。
【學(xué)位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:TB383;O614.122
【圖文】:

對比圖,銀納米線,對比圖,長度


哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文銀納米線基透明導(dǎo)電膜的霧度來源于銀納米線在光照下的散射作用,因此,在不影響其導(dǎo)電性能的情況下,降低薄膜上銀納米線的量,不但可以提升透明導(dǎo)電膜的光透過率,還能有效降低 TCFs 的霧度。因此,研究制備高長徑比的銀納米線也是降低銀納米線基透明導(dǎo)電膜霧度的一個有效手段。Araki 等人[38]通過調(diào)整多元醇還原硝酸銀工藝中的反應(yīng)溫度和攪拌速度,已經(jīng)成功合成了長度在 20-100 μm 范圍內(nèi)(最大長度可以達(dá)到 230 μm)的超長銀納米線。圖 1-1 為常見長度的銀納米線(a) 與超長銀納米線(b) 的 SEM 對比圖。一般直徑和長度分別為 70 nm 和 10 μm 的 AgNWs 和 ITO 相比,由直徑為 91 nm 的超長 AgNWs 在玻璃基底上構(gòu)筑的透明導(dǎo)電薄膜在方阻為 24-109 Ω/sq,透過率為94-97%時,顯示出 3.4-1.6%的較低霧度。

長度分布,銀納米線,純化工藝,短棒


哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文圖 1-3 為此種方法純化后,銀納米線的直徑和長度分布)相對比純化前的銀納米線(左),大部分直徑較大的納短棒都被純化工藝所去除,并且純化工藝也使得銀納米線大的提高。明,當(dāng)銀納米線中的雜質(zhì)(主要是納米銀顆粒和短棒)

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6 王U

本文編號:2712932


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