二氧化錫基催化劑的構筑及其動力學過程
【圖文】:
圖1.1二氧化錫晶體結構圖逡逑
§邋1.2.2.1邋摻雜逡逑摻雜就是用某種元素或是離子取代無機半導體中主原子的位置,基本示意圖逡逑如圖1.2所示。摻雜元素可以是金屬元素摻雜(如Fe[23]、Sbl24],、&[25]、0)[26]等),逡逑也可以是非金屬元素(如F—等),,其主要目的是引入氧缺陷。氧缺陷能夠捕獲逡逑空穴,稱為空穴陷阱,光生空穴大部分被陷阱俘獲,減少了自由移動載流子中空逡逑穴的濃度,從而大大降低了自由的電子-空穴對復合率。當然導帶上的非平衡載逡逑流子電子也有可能與陷阱中心上的空穴進行復合,但復合概率很小,更可能發(fā)生逡逑的是陷阱中的空穴先被激發(fā)到價帶,然后再與光生電子復合。這樣就大大增大了逡逑自由非平衡電子的壽命。2017年山東大學的王文壽教授課題組通過原位錫離子逡逑自摻雜技術,在二氧化錫顆粒中引入氧缺陷,用于驅動氧化還原顏色的可逆變化,逡逑其中氧缺陷一方面能拓寬二氧化錫對可見光的吸收,另一方面在光催化反應的過逡逑程中氧缺陷可以起到自犧牲電子供體的作用
【學位授予單位】:揚州大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:O643.36;TB383.1
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