高性能錳氧化物納米片電極體系的構(gòu)筑及其電容性能研究
【圖文】:
華南理工大學(xué)博士學(xué)位論文r0C Ad (1中 r和 0(F/m)分別是電解液和真空的介電常數(shù),A(m2/g)是電極與電解液接觸面積,,d(m)是雙電層的有效長度。根據(jù)電解液中的離子的濃度、尺寸及溶劑化后層可知,雙電層的有效厚度約為 5-10 [5]。由于雙電層的距離比傳統(tǒng)電容器的要小具有更大的電容量。
伴隨著電荷的轉(zhuǎn)移及金屬價態(tài)的轉(zhuǎn)變。嵌入型贗電容儲型贗電容儲能機制的對比如圖 1-2 所示。這種離子嵌入贗電容是介于電容器之間的效應(yīng),其具有類似電容的特性,如快速的離子傳輸效率高的倍率性能及較長的循環(huán)壽命。而電池材料在儲能過程中受固相一般較低。由于相對高的電容量,寬的電壓窗口和良好的倍率性能,料自發(fā)現(xiàn)以來已引起越來越多的關(guān)注。一些由固相擴散控制的電池型2和塊狀 V2O5)也可以在顆粒尺寸減小到納米尺寸時表現(xiàn)出贗電容行認為是非固有的贗電容材料。因此,即使是相同類型的材料,根據(jù)其電容或電池類型的儲能特性。對于離子嵌入型電荷存儲系統(tǒng),電容量貢獻:(i)固相擴散離子嵌入過程的法拉第過程,(ii)表面及近表面過程和(iii)靜電離子吸附/脫附的非法拉第雙電容電容。因此,離子可達到更高的電容。
【學(xué)位授予單位】:華南理工大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TB383.1;TM53
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