磁性薄膜和磁性納米帶的自旋波共振頻率
【圖文】:
第 2 章 雙層和三層磁性薄膜自旋波共振頻率本章以海森堡模型為基礎(chǔ),采用線性自旋波和格林函數(shù)方法對雙層和三層磁性薄膜的自旋波共振頻率進(jìn)行研究。通過編程和數(shù)值計(jì)算,研究分析薄膜的自旋波共振頻率受表面各向異性、界面各向異性、界面交換耦合和外磁場等的影響。2.1 海森堡模型及其哈密頓量如圖 2.1 所示是雙(三)層磁性薄膜模型。對于雙層磁性薄膜來說,,其中一磁性層為 A,另一磁性層為 B。對于三層磁性薄膜來說,其中一磁性層為 A,另一磁性層為 B,第三層為 A。其中 A 層包含 N1個(gè)磁性原子層,B 層包含 N2個(gè)磁性原子層。的正方向垂直于薄膜表面,Y-Z 平行于薄膜表面。沈陽工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文
圖 2.2 下(上)表面各向異性對雙層膜自旋波共振頻率的影響uence of the up- and down- surface anisotropy on the bilayer film spifrequency異性對雙層磁性薄膜自旋波共振頻率的影響和(b)分別表示界面各向異性 Dint對具有鐵磁和反鐵
【學(xué)位授予單位】:沈陽工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O469;TB383
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號:2683302
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