【摘要】：采用Heisenberg模型,利用線性自旋波近似和格林函數(shù)技術(shù)研究了雙層和三層磁性薄膜及磁性納米帶的自旋波共振頻率。研究了表面和界面各向異性、界面交換耦合和磁場對磁性薄膜自旋波共振頻率的影響,以及納米帶的體各向異性、下(上)表面各向異性、側(cè)表面各向異性和棱各向異性對磁性納米帶自旋波共振頻率的影響。三層磁性薄膜的自旋波共振頻率與雙層磁性薄膜不同,具有反鐵磁性界面耦合的薄膜的自旋波共振頻率也與具有鐵磁性界面耦合的薄膜不同。對于具有鐵磁性界面耦合的雙層和三層薄膜來說,自旋波共振頻率均隨表面各向異性、界面各向異性、界面交換耦合和磁場的增加而增加。鐵磁性界面交換耦合對自旋波(m=1)的共振頻率的影響很小。不同的界面耦合可以導致不同的界面各向異性對自旋波共振頻率的影響。隨著膜厚度的增加,自旋波共振頻率減小。對于具有反鐵磁性界面耦合的雙層和三層薄膜來說,自旋波共振頻率均隨界面各向異性和反鐵磁性界面交換耦合的增強而增加。當表面各向異性增強時,只有兩支自旋波共振頻率增大,而另兩支自旋波共振頻率不受表面各向異性的影響。反鐵磁性界面耦合幾乎不影響界面各向異性對自旋波共振頻率的影響。當磁場增強時,雙層膜中有兩支自旋波共振頻率增大,而另兩支自旋波共振頻率減小。三層膜有三支自旋波共振頻率增大,而另一支自旋波共振頻率減小。隨著膜的厚度的增加,三支自旋波的共振頻率減小。當界面耦合較強時,另一支共振頻率隨著膜的厚度的增加而增大。對于磁性納米帶來說,自旋波共振頻率均隨著納米帶的體各向異性、下(上)表面各向異性、側(cè)面各向異性和棱各向異性的增強而增加。體各向異性和下(上)表面各向異性對于自旋波共振頻率的影響大于側(cè)面各向異性和棱各向異性對自旋波共振頻率的影響。當納米帶的自旋量子數(shù)增加時,體各向異性、下(上)表面各向異性、側(cè)面各向異性和棱各向異性對自旋波共振頻率的影響都增大。
【圖文】：

第 2 章 雙層和三層磁性薄膜自旋波共振頻率本章以海森堡模型為基礎(chǔ)，采用線性自旋波和格林函數(shù)方法對雙層和三層磁性薄膜的自旋波共振頻率進行研究。通過編程和數(shù)值計算，研究分析薄膜的自旋波共振頻率受表面各向異性、界面各向異性、界面交換耦合和外磁場等的影響。2.1 海森堡模型及其哈密頓量如圖 2.1 所示是雙（三）層磁性薄膜模型。對于雙層磁性薄膜來說，，其中一磁性層為 A，另一磁性層為 B。對于三層磁性薄膜來說，其中一磁性層為 A，另一磁性層為 B，第三層為 A。其中 A 層包含 N1個磁性原子層，B 層包含 N2個磁性原子層。的正方向垂直于薄膜表面，Y-Z 平行于薄膜表面。沈陽工業(yè)大學碩士學位論文

圖 2.2 下（上）表面各向異性對雙層膜自旋波共振頻率的影響uence of the up- and down- surface anisotropy on the bilayer film spifrequency異性對雙層磁性薄膜自旋波共振頻率的影響和（b）分別表示界面各向異性 Dint對具有鐵磁和反鐵
【學位授予單位】：沈陽工業(yè)大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2018
【分類號】：O469;TB383

【參考文獻】

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本文編號：2683302