新型低維納米材料器件的量子輸運性質(zhì)研究
【圖文】:
(a)單層MoS2的俯視圖和側(cè)視圖
向左側(cè)的 InSe 而價帶的空穴傾向于從左側(cè)的 InSe 流向右側(cè)的 穴超相反的方向運動,不利于二者的復合,因此更有利于光電轉(zhuǎn)換下,BN-BX 橫向異質(zhì)結(jié)有著 I 型的能帶對齊方式,其導帶的電子向于朝同一方向流動,二者也更容易復合,從而使其更適用于發(fā)光前關于二維異質(zhì)結(jié)構的成果并不多。探索新型且性質(zhì)獨特的二維構建二維異質(zhì)結(jié)提供豐富的候選材料,是非常有意義的工作。米器件著科學技術水平的不斷提高,傳統(tǒng)的電子器件已經(jīng)無法滿足需求尋尺寸越來越小的電子器件。然而,當器件的尺寸減小到納米量導作用,,于是,納米器件從制作工藝到理論基礎都完全不同于傳電子器件包括分子器件以通過光刻、外延生長、微細加工等技術米材料器件,是目前納米電子技術發(fā)展的核心與關鍵。
【學位授予單位】:山西大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:TB383.1
【相似文獻】
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2 馬曉s
本文編號:2682011
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