BiCuSeO熱電材料摻雜與復(fù)合改性研究
發(fā)布時(shí)間:2020-05-25 18:14
【摘要】:為了應(yīng)對(duì)愈演愈烈的全球性污染問題以及一次性能源枯竭問題,能夠?qū)崮苤苯愚D(zhuǎn)化為電能的熱電材料在近年來受到越來越多科研人員的關(guān)注。層狀氧化物熱電材料BiCuSeO因?yàn)榫哂斜菊鞯妮^低的熱導(dǎo)率,同時(shí)兼具抗氧化、無毒、無污染、高溫下性能穩(wěn)定等諸多優(yōu)點(diǎn),擁有著廣闊的應(yīng)用前景。在本論文中,采用了自蔓延高溫合成法(SHS)結(jié)合放電等離子燒結(jié)(SPS)這一超快速的陶瓷制備工藝。以廉價(jià)的K2C03為原料在Bi位成功實(shí)現(xiàn)了K離子摻雜,增多了體系中的載流子,提升了樣品的電學(xué)性能。同時(shí),摻雜又在體系當(dāng)中引入了大量的雜質(zhì),使得熱導(dǎo)率減小。最后,樣品的最大ZT值達(dá)到0.6,相比于純相樣品提升了 50%。采用SHS結(jié)合SPS工藝,以Sn粉為原料制備了Bi1-xBSnxCuSeO樣品。Sn離子在樣品中以Sn2+和Sn4+的形態(tài)共存,Sn2+的存在使得樣品的電導(dǎo)率得到了提升。而在體系中存在的第二相SnOx,具有較高的熱導(dǎo)率,導(dǎo)致樣品的熱導(dǎo)率同樣得到了提升。最終,Bio.96Sn0.04CuSeO樣品獲得最大的ZT值0.77,比純相樣品提升88%。Pb摻雜BiCuSeO體系具有優(yōu)異的電學(xué)性能,但同時(shí)其熱導(dǎo)率也增大,因此采用簡(jiǎn)單球磨法在Pb摻雜BiCuSeO體系中分別復(fù)合了 Te粉以及Te納米線。復(fù)合Te粉之后,樣品的載流子受到散射,電學(xué)性能降低,同時(shí)有效地散射了聲子,獲得較低的熱導(dǎo)率。復(fù)合體積百分比為5%的樣品獲得最大的ZT值0.77。復(fù)合Te納米線的樣品相比于復(fù)合Te粉的樣品,由于一維第二相與三維基體之間的能量過濾效應(yīng),使得樣品獲得了更大的塞貝克系數(shù),因此具有更高的電學(xué)性能。最終,復(fù)合體積百分比為5%的樣品獲得最大的ZT值1,相比于未復(fù)合的樣品提升45%,相比于純相樣品提升144%。
【圖文】:
當(dāng)兩個(gè)不同的導(dǎo)體構(gòu)成一個(gè)閉合回路的時(shí)候,如果兩個(gè)連接點(diǎn)有溫差,那么在兩逡逑端將會(huì)有一個(gè)電位差AV,這種將熱能直接轉(zhuǎn)化為電能的效應(yīng)被稱為塞貝克效應(yīng)而逡逑其逆過程則被稱為帕爾貼效應(yīng),如圖1-1所示。逡逑1逡逑
具有廣闊的前景和巨大的研宄潛質(zhì)。逡逑層狀鈷酸鹽體系中的NaxC0204是最早被發(fā)現(xiàn)的氧化物熱電材料[1\其晶體結(jié)構(gòu)逡逑如圖1-4所示由Na+層和導(dǎo)電的C002層交替堆積而成。以Co為中心,0位于角逡逑點(diǎn)上形成了八面體結(jié)構(gòu)。而Na+離子隨機(jī)的處在C002層之間空位原子的位置,,其質(zhì)逡逑9逡逑
【學(xué)位授予單位】:北京化工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB34
本文編號(hào):2680547
【圖文】:
當(dāng)兩個(gè)不同的導(dǎo)體構(gòu)成一個(gè)閉合回路的時(shí)候,如果兩個(gè)連接點(diǎn)有溫差,那么在兩逡逑端將會(huì)有一個(gè)電位差AV,這種將熱能直接轉(zhuǎn)化為電能的效應(yīng)被稱為塞貝克效應(yīng)而逡逑其逆過程則被稱為帕爾貼效應(yīng),如圖1-1所示。逡逑1逡逑
具有廣闊的前景和巨大的研宄潛質(zhì)。逡逑層狀鈷酸鹽體系中的NaxC0204是最早被發(fā)現(xiàn)的氧化物熱電材料[1\其晶體結(jié)構(gòu)逡逑如圖1-4所示由Na+層和導(dǎo)電的C002層交替堆積而成。以Co為中心,0位于角逡逑點(diǎn)上形成了八面體結(jié)構(gòu)。而Na+離子隨機(jī)的處在C002層之間空位原子的位置,,其質(zhì)逡逑9逡逑
【學(xué)位授予單位】:北京化工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號(hào)】:TB34
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2680547
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