【摘要】：本文制備了CdS量子點(CdS QDs)、BiOI納米片(BiOI NPs),并將少量還原氧化石墨烯(RGO)與其復(fù)合得到CdS-RGO、BiOI-RGO納米復(fù)合材料,將其用于修飾GCE制備了具有很好的光電催化活性的CdS-RGO/GCE、BiOI-RGO/GCE,用于不同電化學(xué)活性底物的光伏安行為分析,主要研究內(nèi)容包括以下兩個部分:1、用水熱法合成了具有良好水溶性的CdS QDs,將少量的RGO引入CdS QDs中,得到納米復(fù)合材料CdS-RGO,將其滴涂到GCE上,構(gòu)建了納米復(fù)合材料修飾電極。利用構(gòu)建的具有光電催化活性的復(fù)合膜修飾電極研究了2,4-二氯酚(DCP),對苯二酚(HQ)和K_3[Fe(CN)_6]的光伏安行為,這三種底物分別代表不可逆體系、準可逆體系和可逆體系。在不加光條件下,在HQ和K_3[Fe(CN)_6]的循環(huán)伏安曲線中出現(xiàn)了一對氧化還原峰。在可見光照射下,HQ和K_3[Fe(CN)_6]的循環(huán)伏安曲線變?yōu)榱恕癝”形。相比之下,DCP的循環(huán)伏安曲線在光照條件下仍然有一個不可逆的氧化峰,在光電催化作用下,氧化峰電流增加。進一步研究發(fā)現(xiàn),HQ和K_3[Fe(CN)_6]的光伏安曲線形狀不受pH和光照強度的影響,但是可以通過改變掃描速率和底物濃度調(diào)整。在此光電化學(xué)傳感器上,采用光伏安的響應(yīng)檢測DCP,校準靈敏度為0.369A/M,傳統(tǒng)的循環(huán)伏安檢測校準靈敏度為0.213A/M,相比之下光伏安檢測更有優(yōu)勢。且構(gòu)建的CdS-RGO/GCE復(fù)合膜電極具有好的重現(xiàn)性和穩(wěn)定性。2、本研究利用低溫水浴法制備了BiOI NPs。BiOI-RGO復(fù)合材料通過BiOI和RGO超聲混合制得。基于此構(gòu)建了具有光電催化活性的BiOI-RGO/GCE復(fù)合膜修飾電極。利用構(gòu)建的BiOI-RGO/GCE研究了CAP的光伏安行為。首先在不加光照時,氯霉素(CAP)的循環(huán)伏安曲線出現(xiàn)一對氧化還原峰,這表明在缺質(zhì)子的溶液中,CAP的氧化還原是準可逆的。可見光照射下,在BiOI-RGO復(fù)合物的光電催化作用下,CAP陰極還原峰的峰電流增加直至達到極限電流。因此,CAP的陰極光伏安曲線變成了“S”形。通過改變BiOI-RGO復(fù)合物中RGO的含量,BiOI-RGO復(fù)合材料的電子傳輸能力改變,CAP光伏安曲線的形狀隨之發(fā)生變化。而且,改變掃描速率和底物濃度也能調(diào)節(jié)CAP在BiOI-RGO修飾電極上的光伏安形狀,因為它們分別影響了光伏安過程中的電子轉(zhuǎn)移速率和物質(zhì)轉(zhuǎn)移速率。
【圖文】：

24ograms of 0.1 mmol L-1(A) DCP, (B) HQ and (C) K3[Fe(RGO electrode (a) before and (b) after photoirradiation. Sc以看出，在光照之前，，溶液中含有 0.1 mmol L-10.9 V)的循環(huán)伏安曲線在 0.7 V 左右出現(xiàn)一個明顯掃描中(從 0.9 V 到 0.3 V)循環(huán)伏安曲線上沒有出

30mmograms of 0.1 mmol L-1(A) DCP, (B) HQ and (C) K3[F0) on CdS RGO electrode under photoirradiation at differe影響循環(huán)伏安行為的因素之一。如圖 3-7 所示，描速率下 DCP、HQ 和 K3[Fe(CN)6]在 CdS-RG對于 DCP(圖 3-7A)，掃描速率從 5 增加到 500m峰形保持不變；同時，在此過程中 DCP 的氧化峰在一個良好的線性關(guān)系 ipa(μΑ)= 0.1ν1/2(mV/s+
【學(xué)位授予單位】：華中科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：TP212;TB383.1

【參考文獻】

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1 王光麗;徐靜娟;陳洪淵;;光電化學(xué)傳感器的研究進展[J];中國科學(xué)(B輯:化學(xué));2009年11期

2 徐瑞芬;漆良峰;胡學(xué)香;;循環(huán)伏安法初探納米TiO_2電極產(chǎn)生·OH的光催化行為[J];化工新型材料;2005年12期

本文編號：2658809