改性碳納米材料的電化學(xué)傳感研究
【圖文】:
材料種類繁多,在科學(xué)研究中常涉及的碳納米材納米管等。碳的改性及其應(yīng)用化碳(C3N4)的研究起源于上世紀(jì) 20 年代,它是一種eter 和 Hemley 計(jì)算得出 C3N4有 5 種結(jié)構(gòu),其中,4)在常溫下穩(wěn)定性最好。g-C3N4的二維平面層(由 德華力疊加在一起[1](如圖 1.1)。作為一種低成本以簡單、環(huán)境友好的方式大規(guī)模合成。各種含氮作前體,如三聚氰胺[2],尿素[3]和氰亞胺[4]。g-C3壓法、氣相沉積法、熱解法和溶劑熱法等。2006化領(lǐng)域[5,6]。Wang 等[7]首次將 g-C3N4用于可見光相氮化碳已成為光催化驅(qū)動(dòng)產(chǎn)氫的重要材料。
常見的 g-C3N4的改性方法有摻雜改性、復(fù)合改。明,g-C3N4應(yīng)用于光催化中存在一些缺陷,比如,率較高,比表面積較小,量子效率較低等。因此,催化等領(lǐng)域的應(yīng)用。摻雜改性可分為金屬摻雜和非無金屬的碳材料,將金屬摻雜入g-C3N4可提高電子光催化性能的表面缺陷。Wang 等[9]用雙氰胺和氯化高溫條件下合成 Fe/g-C3N4納米復(fù)合材料。由 XPS Fe-N 鍵,UV-vis 分析表明 Fe 摻雜之后納米材料光非金屬(主要有ⅤA-ⅦA 族元素如 C、N、O、F、S C3N4的能帶間隙降低,,又使其光吸收性能提高,進(jìn)。Liu 等[10]報(bào)道了 S 晶體摻雜 g-C3N4(圖 1.2),摻雜Sx(帶隙為 2.85 eV)熒光發(fā)射光譜峰位置藍(lán)移。
【學(xué)位授予單位】:武漢工程大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O657.1;TB383.1
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本文編號:2633048
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