金屬硫化物納米薄膜的制備及其在能源器件中光電性能的研究
發(fā)布時間:2020-04-11 08:56
【摘要】:隨著全球的經(jīng)濟(jì)發(fā)展和人口劇增,人們對可再生能源的需求急劇上升,如何高效地轉(zhuǎn)化和存儲可再生能源成為當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。金屬硫化物在自然界中含量豐富、無毒,并且具有優(yōu)異的電導(dǎo)性、穩(wěn)定性、光電化學(xué)響應(yīng)等性能,可廣泛應(yīng)用于能源器件中,因而備受關(guān)注。本論文圍繞金屬硫化物的合成,通過開發(fā)多種制備方法,在不同基底表面成功制備了一系列二元、三元以及復(fù)合金屬硫化物納米薄膜材料,深入研究其生長機(jī)理。此外,分別考察了它們在量子點(diǎn)敏化太陽能電池(QDSCs)、光催化以及超級電容器中的光電性能。本論文的主要創(chuàng)新點(diǎn)和成果如下:1.采用多種方法在FTO導(dǎo)電玻璃基底表面制備CuS納米片薄膜,通過對不同方法制備的CuS納米片薄膜進(jìn)行多種表征及電化學(xué)性能測試,篩選獲得具有最佳電催化活性的CuS納米薄膜,并將其作為對電極材料組裝成QDSCs,相比于傳統(tǒng)的貴金屬Pt電極,電池整體性能有明顯的提高,電池效率從1.56%提升至3.82%。2.發(fā)展了一種制備復(fù)合硫化物納米薄膜的普適方法。在多種導(dǎo)電基底(包括FTO、泡沫鎳、碳布和鈦網(wǎng))表面成功制備了新型珊瑚狀Co9S8-CuS納米結(jié)構(gòu)薄膜樣品,并將其作為電極材料應(yīng)用于QDSCs和超級電容器中。與單種材料(Co9S8和CuS)相比,復(fù)合硫化物納米結(jié)構(gòu)薄膜具有更優(yōu)異的電催化活性、充放電特性及電化學(xué)循環(huán)穩(wěn)定性。此外,通過相同的制備方法,我們也成功制備了 Co9S8-NiS2和Co9S8-MoS2納米薄膜,證明此種方法具有普適性。3.首次在銅板表面制備了三元Cu2Mo6S8針葉狀納米薄膜,該薄膜具有可見光響應(yīng),并且憑借其特殊的針葉狀結(jié)構(gòu)和適宜的電子能級結(jié)構(gòu),Cu2Mo6S8針葉狀納米薄膜在可見光下對甲基藍(lán)具有優(yōu)異的光催化降解活性。
【圖文】:
逑輸層,不過最常用的還是金和銀作為對電極I2W1]。逡逑圖1-la表明了邋QDSCs的工作原理:量子點(diǎn)吸收入射光子的能量被激發(fā)產(chǎn)生逡逑電子-空穴對,隨后電子-空穴對發(fā)生分離,電子快速注入到金屬氧化物導(dǎo)帶并經(jīng)逡逑金屬氧化物被外電路收集,量子點(diǎn)的空穴被電解質(zhì)還原回到基態(tài),電解質(zhì)在對電逡逑極處接收從外電路流入的電子完成再生,最終構(gòu)成一個回路循環(huán)[17]。光電轉(zhuǎn)化逡逑主要在各個界面處完成,圖1-lb展現(xiàn)了電子和空穴在Ti02/QD/電解液界面的電逡逑荷轉(zhuǎn)移的過程,,包括光生電子和空穴的注入(Inj),捕獲(Tip)和再結(jié)合(Rec)[32]。逡逑Injl和Inj2過程表示光生電子從最低未占軌道以及電子陷阱能級注入至Ti02;逡逑Inj3和Inj4過程表示產(chǎn)生的空穴從最高已占軌道HOMO和空穴陷阱能級注入至逡逑電解液中。在內(nèi)電路中,光生電子和空穴的復(fù)合可通過兩種方式,Reel表示光逡逑生電子和空穴直接復(fù)合,Rec2表示它們通過陷阱能級復(fù)合。注入至Ti02的電子逡逑在Ti02/QDs表面轉(zhuǎn)移到QDs上(Rec3)
1.3.3超級電容器的工作原理逡逑雙電層超級電容器的儲能實(shí)質(zhì)上是電荷在電極和電解液界面上的存儲與重逡逑新排列[33]。圖1-2解釋了雙電層超級電容器的工作原理:充電時,電子從電容器逡逑正極流入負(fù)極,與此同時電解液中的正負(fù)離子分別向電容器的負(fù)極和正極擴(kuò)散,逡逑這樣即形成了雙電層儲能;充電結(jié)束后,電極和電解液界面間的靜電引力使得雙逡逑電層保持穩(wěn)定,因此,正負(fù)兩極間的電壓可以保持不變;放電時,雙電層電容器逡逑的正負(fù)兩極通過外電路連接,電子經(jīng)過負(fù)載從負(fù)極流向正極,在外電路產(chǎn)生電流,逡逑靜電引力消失,電極表面的正離子與負(fù)離子流入電解液中。整個過程只有電荷的逡逑物理遷移,并沒有化學(xué)反應(yīng)參與[33]。逡逑邐jj邐邋邐WvVv邐逡逑in邐起v.!邐i邋ne?邋s邋n邋^逡逑i邋1邐!二邐9邋@逡逑11邋{二邐e邋e逡逑丨:Y沖義希椋戾澹歟椋戾危蹋?e邋??sw義希掊灝哄澹掊義賢跡保菜綺愕縟萜韉幕磽跡郟常常蕁e義希疲椋紓澹保插澹櫻悖瑁澹恚幔簦椋沐澹洌椋幔紓潁幔礤澹錚駑澹牛模蹋茫螅義戲ɡ謫偷縟萜韉拇⒛芑剖抵噬鮮腔钚暈鎦試詰緙礱嫻那返縹懷粱,从辶x隙⑸贍嫻幕迅交蛘呤茄躉乖從Γ郟常常蕁M跡保呈且越鶚粞躉鎵偷縟蒎義掀魑
本文編號:2623401
【圖文】:
逑輸層,不過最常用的還是金和銀作為對電極I2W1]。逡逑圖1-la表明了邋QDSCs的工作原理:量子點(diǎn)吸收入射光子的能量被激發(fā)產(chǎn)生逡逑電子-空穴對,隨后電子-空穴對發(fā)生分離,電子快速注入到金屬氧化物導(dǎo)帶并經(jīng)逡逑金屬氧化物被外電路收集,量子點(diǎn)的空穴被電解質(zhì)還原回到基態(tài),電解質(zhì)在對電逡逑極處接收從外電路流入的電子完成再生,最終構(gòu)成一個回路循環(huán)[17]。光電轉(zhuǎn)化逡逑主要在各個界面處完成,圖1-lb展現(xiàn)了電子和空穴在Ti02/QD/電解液界面的電逡逑荷轉(zhuǎn)移的過程,,包括光生電子和空穴的注入(Inj),捕獲(Tip)和再結(jié)合(Rec)[32]。逡逑Injl和Inj2過程表示光生電子從最低未占軌道以及電子陷阱能級注入至Ti02;逡逑Inj3和Inj4過程表示產(chǎn)生的空穴從最高已占軌道HOMO和空穴陷阱能級注入至逡逑電解液中。在內(nèi)電路中,光生電子和空穴的復(fù)合可通過兩種方式,Reel表示光逡逑生電子和空穴直接復(fù)合,Rec2表示它們通過陷阱能級復(fù)合。注入至Ti02的電子逡逑在Ti02/QDs表面轉(zhuǎn)移到QDs上(Rec3)
1.3.3超級電容器的工作原理逡逑雙電層超級電容器的儲能實(shí)質(zhì)上是電荷在電極和電解液界面上的存儲與重逡逑新排列[33]。圖1-2解釋了雙電層超級電容器的工作原理:充電時,電子從電容器逡逑正極流入負(fù)極,與此同時電解液中的正負(fù)離子分別向電容器的負(fù)極和正極擴(kuò)散,逡逑這樣即形成了雙電層儲能;充電結(jié)束后,電極和電解液界面間的靜電引力使得雙逡逑電層保持穩(wěn)定,因此,正負(fù)兩極間的電壓可以保持不變;放電時,雙電層電容器逡逑的正負(fù)兩極通過外電路連接,電子經(jīng)過負(fù)載從負(fù)極流向正極,在外電路產(chǎn)生電流,逡逑靜電引力消失,電極表面的正離子與負(fù)離子流入電解液中。整個過程只有電荷的逡逑物理遷移,并沒有化學(xué)反應(yīng)參與[33]。逡逑邐jj邐邋邐WvVv邐逡逑in邐起v.!邐i邋ne?邋s邋n邋^逡逑i邋1邐!二邐9邋@逡逑11邋{二邐e邋e逡逑丨:Y沖義希椋戾澹歟椋戾危蹋?e邋??sw義希掊灝哄澹掊義賢跡保菜綺愕縟萜韉幕磽跡郟常常蕁e義希疲椋紓澹保插澹櫻悖瑁澹恚幔簦椋沐澹洌椋幔紓潁幔礤澹錚駑澹牛模蹋茫螅義戲ɡ謫偷縟萜韉拇⒛芑剖抵噬鮮腔钚暈鎦試詰緙礱嫻那返縹懷粱,从辶x隙⑸贍嫻幕迅交蛘呤茄躉乖從Γ郟常常蕁M跡保呈且越鶚粞躉鎵偷縟蒎義掀魑
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