【摘要】：二維(2D)過渡金屬硫化物(TMDCs)如二硫化鉬(MoS_2),二硫化鎢(WS_2)具有良好的帶隙,因此被視為納米電子器件的下一代候選者。由于其具備良好的電學(xué),機械,光學(xué)和化學(xué)等性質(zhì),它們在光學(xué)和電子設(shè)備中受到科研工作者相當(dāng)大的關(guān)注。在這項工作中,我們利用聚焦離子束(FIB)系統(tǒng)進行等離子體處理和鎵離子輻照,以調(diào)整TMDC的性質(zhì)。首先,研究了經(jīng)過氧等離子體處理的單層MoS_2薄膜的結(jié)構(gòu),機械和表面電位(SP)特性。等離子體處理之前和之后單層MoS_2膜的拉曼光譜(RS)的比較顯示等離子體處理引起機械剝離。隨著的氧等離子體處理時間的改變,E~1_(2g)和A_(1g)峰值之間的差異以及縱向聲學(xué)模式的位置也發(fā)生顯著改變。原子力顯微鏡(AFM)用于研究等離子體處理誘導(dǎo)的MoS_2薄膜的結(jié)構(gòu),力學(xué)行為和SP的變化。均方根(RMS)值用于分析氧等離子體處理誘導(dǎo)的MoS_2薄膜的表面粗糙度,粘附性和SP的變化。隨著等離子體處理持續(xù)時間的增加,薄膜的RMS粗糙度首先增加然后減小。氧等離子體處理增加了MoS2薄膜的缺陷含量,SP顯著降低。其次,通過FIB控制Ga離子束的能量和強度,采用MoS2的摩擦力和表面改性,研究了不同時間照射的MoS_2。RS發(fā)現(xiàn),通過照射引起的拉伸應(yīng)變最初增加了功函數(shù),并且通過摻雜薄片改變了晶格。類似地,在鎵離子輻照各種停留時間下,MoS_2的AFM拓撲研究表明與輻照時間和摩擦力有直接關(guān)系。因此,如上所述,隨著摩擦值降低,照射時間增加。因此,增加停留時間會引起輻照的MoS_2薄片內(nèi)的變化,導(dǎo)致摩擦值逐漸降低。
【學(xué)位授予單位】：江蘇大學(xué)
【學(xué)位級別】：博士
【學(xué)位授予年份】：2019
【分類號】：TQ136.12;TB383.2

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本文編號：2598086