【摘要】：納米銅因其原料價(jià)格低廉、性能穩(wěn)定及特殊的物理化學(xué)性質(zhì),在催化、電子、抗菌、潤(rùn)滑劑等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。濕化學(xué)法制備納米銅對(duì)于實(shí)驗(yàn)條件制約較小,反應(yīng)過程中容易對(duì)變量進(jìn)行控制。對(duì)濕化學(xué)法制備納米銅進(jìn)行了綜述,重點(diǎn)介紹了溶劑、前體、活性劑、分散劑以及還原劑等的選擇,描述了納米銅的尺寸,形貌等特征,闡明了其生長(zhǎng)機(jī)理。另外,對(duì)納米銅在不同領(lǐng)域如透明導(dǎo)電電極、導(dǎo)體、傳感器、生物醫(yī)藥和催化劑等方面的應(yīng)用進(jìn)行了綜述。
【圖文】：

的導(dǎo)電性和高光學(xué)透射率（８６％透光率時(shí)電導(dǎo)率為３０Ｓ／ｍ）。實(shí)驗(yàn)在常用電壓力鍋里１１６℃下反應(yīng)２～１２ｈ。合成的銅納米線粒徑在４５ｎｍ左右，長(zhǎng)度可達(dá)到６０～９０μｍ。Ｌ．Ｘｕ等［２１］用Ｔ型流體裝置合成了銅納米顆粒。以ＮａＢＨ４為還原劑，ＰＶＰ為表面活性劑，合成的銅納米顆粒粒徑在８．９５ｎｍ，顆粒為球形的，大小均勻，分散良好。能譜結(jié)果表明在銅納米顆粒在合成過程中不存在氧化，，這也證明了作為抗氧化劑的ＰＶＰ能很好地使顆粒分散。圖２為納米銅室溫下在Ｔ型微流控芯片裝置中的合成示意圖，該裝置管道長(zhǎng)寬高分別為１０，２００，３０ｍｍ。圖２納米銅室溫下在Ｔ型微流控芯片裝置中的合成示意圖［２１］Ｆｉｇ２Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｏｆｔｈｅｓｙｎｔｈｅｓｉｓｐｒｏｃｅｓｓｅｓｏｆｔｈｅｃｏｐ－ｐｅｒｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓｂｙＴ－ｓｈａｐｅｄｍｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｃｈｉｐａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ［２１］諸如二十二碳六烯酸（ＤＨＡ），十八胺（ＯＤＡ）這些直鏈烷基胺在大部分文獻(xiàn)中是用在水熱法工藝中合成銅納米線。這表明，它們?cè)阢~納米線的形成中發(fā)揮著０４０６１謝漢文等：納米銅的濕化學(xué)合成及其應(yīng)用

的導(dǎo)電性和高光學(xué)透射率（８６％透光率時(shí)電導(dǎo)率為３０Ｓ／ｍ）。實(shí)驗(yàn)在常用電壓力鍋里１１６℃下反應(yīng)２～１２ｈ。合成的銅納米線粒徑在４５ｎｍ左右，長(zhǎng)度可達(dá)到６０～９０μｍ。Ｌ．Ｘｕ等［２１］用Ｔ型流體裝置合成了銅納米顆粒。以ＮａＢＨ４為還原劑，ＰＶＰ為表面活性劑，合成的銅納米顆粒粒徑在８．９５ｎｍ，顆粒為球形的，大小均勻，分散良好。能譜結(jié)果表明在銅納米顆粒在合成過程中不存在氧化，這也證明了作為抗氧化劑的ＰＶＰ能很好地使顆粒分散。圖２為納米銅室溫下在Ｔ型微流控芯片裝置中的合成示意圖，該裝置管道長(zhǎng)寬高分別為１０，２００，３０ｍｍ。圖２納米銅室溫下在Ｔ型微流控芯片裝置中的合成示意圖［２１］Ｆｉｇ２Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｏｆｔｈｅｓｙｎｔｈｅｓｉｓｐｒｏｃｅｓｓｅｓｏｆｔｈｅｃｏｐ－ｐｅｒｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓｂｙＴ－ｓｈａｐｅｄｍｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｃｈｉｐａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ［２１］諸如二十二碳六烯酸（ＤＨＡ），十八胺（ＯＤＡ）這些直鏈烷基胺在大部分文獻(xiàn)中是用在水熱法工藝中合成銅納米線。這表明，它們?cè)阢~納米線的形成中發(fā)揮著０４０６１謝漢文等：納米銅的濕化學(xué)合成及其應(yīng)用

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