直接接觸轉(zhuǎn)移法制備石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜的研究
發(fā)布時(shí)間:2019-09-08 19:22
【摘要】:石墨烯是由單層碳原子以sp2雜化軌道形成的呈六角晶格排布的二維平面薄膜。特殊的結(jié)構(gòu)使石墨烯在光、電、熱、化學(xué)及機(jī)械性能等方面表現(xiàn)出極具吸引力的應(yīng)用潛力,例如場效應(yīng)晶體管、太陽能電池、透明導(dǎo)電薄膜等。目前,在金屬催化基底上大面積、低成本合成高質(zhì)量石墨烯的化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)的不斷改進(jìn),為石墨烯代替?zhèn)鹘y(tǒng)的透明導(dǎo)電薄膜氧化銦錫(ITO)的應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。但是,石墨烯應(yīng)用為透明導(dǎo)電薄膜時(shí)存在以下幾個(gè)問題:(a)電子設(shè)備的應(yīng)用要求石墨烯存在于不導(dǎo)電基底上,但不導(dǎo)電基底上直接生長的石墨烯薄膜尺寸小、質(zhì)量不高、存在一定的缺陷,所以CVD法在鎳、銅等金屬催化基底上合成的石墨烯必須進(jìn)行轉(zhuǎn)移。(b)目前石墨烯的轉(zhuǎn)移手段主要依靠有機(jī)物作為載體輔助,主要方法為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)轉(zhuǎn)移法和熱釋放膠帶(Thermal release tape)轉(zhuǎn)移法。然而這兩種方法都存在缺陷,PMMA和熱釋放膠帶的殘留都會(huì)對石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜的性能造成影響。針對以上問題,我們主要通過用CVD法在銅上直接生長4層左右的石墨烯,同時(shí)改進(jìn)石墨烯的轉(zhuǎn)移工藝,獲得表面干凈整潔、性能優(yōu)良的石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜。具體研究工作如下:(1)常壓CVD法制得的單層石墨烯難以達(dá)到單晶狀態(tài),其透光率可高達(dá)97.7%,但方塊電阻通常為300Ω/sq左右,當(dāng)代替ITO作為透明導(dǎo)電薄膜應(yīng)用時(shí),電阻偏大。為了達(dá)到90%左右的透光率,幾十Ω/sq的方塊電阻,我們用常壓CVD法在銅上直接生長4層左右的石墨烯,然后再轉(zhuǎn)移至不導(dǎo)電基底上。直接生長4層左右的石墨烯有兩點(diǎn)好處:其一,常壓CVD法生長多層石墨烯比單層石墨烯的制備工藝簡單;其二,在進(jìn)行轉(zhuǎn)移時(shí),4層左右的石墨烯可以一次性完成轉(zhuǎn)移,不需一層一層反復(fù)多次至4層,減少PMMA或熱釋放膠帶的殘留量。我們分別從生長溫度、生長基底、碳源和生長時(shí)間等方面進(jìn)行一系列對比實(shí)驗(yàn),最終得到生長4層左右石墨烯的最佳實(shí)驗(yàn)參數(shù)。(2)提出了一種新型的石墨烯轉(zhuǎn)移方法—直接接觸轉(zhuǎn)移法,它是一種無聚合物輔助的石墨烯轉(zhuǎn)移法,所以不存在PMMA和熱釋放膠帶等有機(jī)聚合物的殘留問題。通過與傳統(tǒng)轉(zhuǎn)移方法在拉曼光譜、透光率、方塊電阻等方面的對比表征發(fā)現(xiàn),新的轉(zhuǎn)移方法在轉(zhuǎn)移后石墨烯的質(zhì)量、透光性、導(dǎo)電性等性能方面均有明顯提高。新的轉(zhuǎn)移方法有效地解決了石墨烯表面PMMA和熱釋放膠帶的殘留問題,而且在轉(zhuǎn)移過程中無需高溫退火等處理,轉(zhuǎn)移之后石墨烯的表面干凈平整,不被破壞。直接接觸轉(zhuǎn)移法是一種簡單有效的可以高質(zhì)量、大面積、一次性轉(zhuǎn)移石墨烯的方法,適用于任何目標(biāo)基底的石墨烯轉(zhuǎn)移。(3)用CVD法在Cu為生長基底、生長溫度為1000℃、氣體及其流量比為Ar/H2/CH4=80/20/15、生長時(shí)間為10min的條件下,制備得到了晶粒尺寸均勻,大小約為348.72nm的4層左右石墨烯薄膜。用“上部”直接接觸轉(zhuǎn)移法將其轉(zhuǎn)移至聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基底上,得到了表面干凈平整,光透過率約為90.4%,方塊電阻約為64Ω/sq的柔性石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜。
【圖文】:
我們選單層石墨^0作為研究對象,如圖1.2邋(a)所示,晶格中的每個(gè)碳原子均逡逑被H個(gè)晶胞所共用,所W每個(gè)晶胞中可等效看作具有兩個(gè)不等價(jià)的碳原子A和B,,逡逑它們形成了六角晶型狀晶格。C-C之間的鍵長約為化H2nm,稱為C鍵,每個(gè)周期逡逑性單元的晶格矢量可表示為:逡逑a,=^(3,^/3),邋a,=^(3-j3)邐(1.1)逡逑對應(yīng)的倒格子矢量可表示為:逡逑6、=早(\,e保荊保降跡ǎ,-O啠╁危ǎ保玻╁義希常徨危常徨義嫌?xùn)V悼占湎嘍雜Γ芍箍占淶那篩銎釩幸倉緩星篩霾壞燃鄣牡,他们钒櫫x喜記剎祭鐫ㄇ慕鍬淅錚依說,壤_跡保插澹ǎ猓┲械模撕停隋澹У。其巧动辶x狹靠占淶奈恢檬噶靠汕墑疚哄義希耍叫U,K’=袜Pǎ牽╁危ǎ保常╁義希郴緬澹沖危玻徨危沖義鮮悼占浯嬖詰模雀鱟盍誚噶靠殺硎疚哄義稀叮交,Μ-L\螅叮劍。|
本文編號:2533406
【圖文】:
我們選單層石墨^0作為研究對象,如圖1.2邋(a)所示,晶格中的每個(gè)碳原子均逡逑被H個(gè)晶胞所共用,所W每個(gè)晶胞中可等效看作具有兩個(gè)不等價(jià)的碳原子A和B,,逡逑它們形成了六角晶型狀晶格。C-C之間的鍵長約為化H2nm,稱為C鍵,每個(gè)周期逡逑性單元的晶格矢量可表示為:逡逑a,=^(3,^/3),邋a,=^(3-j3)邐(1.1)逡逑對應(yīng)的倒格子矢量可表示為:逡逑6、=早(\,e保荊保降跡ǎ,-O啠╁危ǎ保玻╁義希常徨危常徨義嫌?xùn)V悼占湎嘍雜Γ芍箍占淶那篩銎釩幸倉緩星篩霾壞燃鄣牡,他们钒櫫x喜記剎祭鐫ㄇ慕鍬淅錚依說,壤_跡保插澹ǎ猓┲械模撕停隋澹У。其巧动辶x狹靠占淶奈恢檬噶靠汕墑疚哄義希耍叫U,K’=袜Pǎ牽╁危ǎ保常╁義希郴緬澹沖危玻徨危沖義鮮悼占浯嬖詰模雀鱟盍誚噶靠殺硎疚哄義稀叮交,Μ-L\螅叮劍。|
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