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碳化硅表面氧化處理與鋁基復合材料可控制備

發(fā)布時間:2017-03-17 15:08

  本文關(guān)鍵詞:碳化硅表面氧化處理與鋁基復合材料可控制備,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:液態(tài)攪拌法是制備碳化硅顆粒增強鋁基復合材料(SiCp/A1)的主要方法之一,為了解決碳化硅顆粒分布均勻性問題,必須改善兩者界面反應(yīng)和潤濕結(jié)合情況,實現(xiàn)SiCp/A1復合材料的可控制備。本文研究了碳化硅表面高溫氧化處理的工藝方案與機理,用高真空潤濕角測定設(shè)備測量不同溫度氧化的碳化硅與鋁的接觸角,通過分析軟件統(tǒng)計計算其表面張力、附著功以及浸潤功,并研究了在潤濕過程中接觸角隨時間變化的關(guān)系,采用了機械攪拌方式制備復合材料,通過水力模擬實驗優(yōu)化了攪拌葉片結(jié)構(gòu),創(chuàng)新設(shè)計并實施了“兩步法”制備SiCp/Al復合材料工藝,研究了攪拌工藝參數(shù)對復合材料組織與性能的影響規(guī)律。主要的研究成果如下:(1)SiC顆粒在850℃以上的氧化過程中,SiC氧化增量和氧化層的體積分數(shù)隨高溫保溫時間延長呈現(xiàn)先增長較快后趨于穩(wěn)定的趨勢,且氧化溫度越高,氧化增重越快,氧化層的體積分數(shù)占總體積越大,在1100℃氧化4h得到的SiO2氧化層厚度約為252nm。要獲得晶態(tài)的SiO2,SiC的氧化溫度應(yīng)控制在1100℃以上,氧化時間應(yīng)至少大于2h,在氧化2h-4h內(nèi),SiC表面發(fā)生了由無定型SiO2向晶態(tài)SiO2轉(zhuǎn)化的過程,其晶型為高溫型方石英。高溫氧化后的SiC在不同冷卻速率下冷卻到室溫,表面的SiO2晶型沒有發(fā)生變化,表明冷卻速率對經(jīng)過氧化的SiC表面晶型結(jié)構(gòu)沒有影響。為控制較好的復合材料界面,SiC氧化的優(yōu)化工藝為1100℃、4h。(2)SiC經(jīng)過高溫氧化處理后能明顯改善與鋁的潤濕性,在850℃、6h下氧化處理的SiC與鋁的潤濕性沒有提高,在1100℃、6h下兩者的潤濕性有所改善,接觸角降低了30.64°。由于SiC表面已生成了大量晶態(tài)SiO2,改善了兩者的潤濕性。SiC與鋁的潤濕經(jīng)過三個階段,初始階段,接觸角較大;反應(yīng)階段,接觸角迅速減小;穩(wěn)定階段,接觸角不再變化。表明在液態(tài)攪拌法制備SiC增強鋁基復合材料的過程中,至少需兩者接觸7min以上才能實現(xiàn)反應(yīng)潤濕。(3)液態(tài)攪拌法制備鋁基復合材料的優(yōu)化工藝為:攪拌溫度應(yīng)控制在680℃左右,攪拌速度為950r/min,采用雙級葉片間距H=30mm,SiC的加入量為5%~10%時,比較容易實現(xiàn)SiC顆粒與鋁基復合材料的結(jié)合。高速攪拌的攪拌速度為6OOOr/min,攪拌溫度為700℃,攪拌時間為5min,制備的復合材料中SiC顆粒分布均勻。通過氧化處理的SiC顆粒制備的增強鋁基復合材料在界面上,形成了一個SiC/SiO2 MgAl2O4/Al界面組織,使SiC與Al的界面實現(xiàn)了良好的潤濕性結(jié)合。
【關(guān)鍵詞】:鋁基復合材料 SiC高溫氧化 潤濕性 液態(tài)攪拌 分布均勻性 界面
【學位授予單位】:西安工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TB33
【目錄】:
  • 摘要3-5
  • Abstract5-10
  • 1 緒論10-17
  • 1.1 選題背景10-11
  • 1.2 鋁基復合材料概述11-13
  • 1.2.1 鋁基復合材料簡介11-12
  • 1.2.2 鋁基復合材料應(yīng)用領(lǐng)域與展望12-13
  • 1.3 碳化硅增強鋁基復合材料制備技術(shù)13-15
  • 1.3.1 粉末冶金法13
  • 1.3.2 攪拌鑄造法13-14
  • 1.3.3 壓力鑄造法14
  • 1.3.4 共噴射沉積技術(shù)14
  • 1.3.5 原位自生成技術(shù)14-15
  • 1.4 碳化硅增強鋁基復合材料開發(fā)應(yīng)用的問題15
  • 1.4.1 復合材料制備工藝方法缺陷15
  • 1.4.2 復合材料加工性能缺陷15
  • 1.4.3 材料的回收與利用15
  • 1.5 本課題主要研究內(nèi)容15-17
  • 2 實驗材料及制備方法17-23
  • 2.1 實驗材料17-18
  • 2.2 制備方法18-22
  • 2.2.1 碳化硅表面高溫氧化過程18
  • 2.2.2 鋁基復合材料制備方法18-22
  • 2.3 組織觀察與分析22-23
  • 2.3.1 金相顯微鏡(OM)觀察22
  • 2.3.2 掃描電子顯微鏡(SEM)觀察22
  • 2.3.3 透射電子顯微鏡(TEM)觀察22
  • 2.3.4 X射線衍射(XRD)分析22-23
  • 3 碳化硅表面高溫氧化行為研究23-32
  • 3.1 研究背景及方案23
  • 3.2 碳化硅氧化模型的建立23-26
  • 3.2.1 理論推導23-25
  • 3.2.2 具體計算25-26
  • 3.3 SiC顆粒的氧化特征26-27
  • 3.4 SiC顆粒的SEM分析結(jié)果27
  • 3.5 碳化硅氧化狀態(tài)對二氧化硅晶型的影響27-31
  • 3.5.1 碳化硅氧化時間對二氧化硅晶型的影響27-28
  • 3.5.2 碳化硅氧化溫度對二氧化硅晶型的影響28-29
  • 3.5.3 不同冷卻速率對二氧化硅晶型的影響29-31
  • 3.6 本章小結(jié)31-32
  • 4 碳化硅與鋁潤濕性研究32-45
  • 4.1 實驗材料與測定方法32-37
  • 4.1.1 實驗材料32
  • 4.1.2 實驗測定方法32-34
  • 4.1.3 實驗測定設(shè)備34-35
  • 4.1.4 實驗數(shù)據(jù)處理35-36
  • 4.1.5 實驗誤差校準36-37
  • 4.2 實驗結(jié)果與分析37-44
  • 4.2.1 接觸角測定結(jié)果與分析37-40
  • 4.2.2 表面粗糙度對潤濕性的影響40-42
  • 4.2.3 SEM微觀結(jié)果分析42-44
  • 4.3 本章小結(jié)44-45
  • 5 碳化硅顆粒增強鋁基復合材料可控制備45-62
  • 5.1 實驗目的45
  • 5.2 實驗研究方案45
  • 5.3 實驗工藝流程45-46
  • 5.4 攪拌模擬實驗46-49
  • 5.4.1 葉片形狀的選擇46-48
  • 5.4.2 葉片結(jié)構(gòu)的選擇48-49
  • 5.5 碳化硅增強鋁基復合材料的制備49-51
  • 5.5.1 碳化硅增強鋁基復合材料工藝設(shè)計49-50
  • 5.5.2 碳化硅增強鋁基復合材料二次攪拌實驗50-51
  • 5.6 實驗樣品分析51-52
  • 5.6.1 金相試樣的制備及觀察51-52
  • 5.6.2 掃描電鏡分析52
  • 5.7 實驗結(jié)果分析52-61
  • 5.7.1 鋁基復合材料組織分析52-58
  • 5.7.1.1 攪拌法制備鋁基復合材料組織分析52-56
  • 5.7.1.2 二次攪拌鋁基復合材料組織分析56-58
  • 5.7.2 實驗現(xiàn)象及問題分析58-60
  • 5.7.3 復合材料制備工藝小結(jié)60-61
  • 5.8 本章小結(jié)61-62
  • 6 鋁基復合材料界面分析62-66
  • 6.1 SEM分析結(jié)果62-63
  • 6.1.1 碳化硅顆粒微觀形貌62
  • 6.1.2 SiC_p/Al復合材料界面線掃描分析62-63
  • 6.2 TEM分析結(jié)果63-66
  • 6.2.1 實驗方法與分析63
  • 6.2.2 SiC_p/Al復合材料界面分析63-66
  • 7 結(jié)論66-68
  • 參考文獻68-73
  • 攻讀碩士學位期間發(fā)表的論文73-74
  • 致謝74-76

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6 熊俊杰;原位顆粒增強ADC12鋁基復合材料的制備及研究[D];南昌大學;2015年

7 趙振興;短碳纖維增強鋁基復合材料的制備工藝及性能研究[D];河南科技大學;2015年

8 胡東甫;高潔凈度原位TiB_2增強鋁基復合材料的制備[D];大連理工大學;2015年

9 湯煈;原位自生6063/TiB_2鋁基復合材料攪拌摩擦加工的研究[D];上海交通大學;2015年

10 但承益;TiB_2顆粒對鋁基復合材料變形過程的影響[D];上海交通大學;2015年


  本文關(guān)鍵詞:碳化硅表面氧化處理與鋁基復合材料可控制備,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號:253070

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