缺陷調控對氧化鋅納米棒陣列光電響應與恢復性能的影響
[Abstract]:The internal defects of zinc oxide were regulated by annealing at different temperatures in air and nitrogen, and the effects of defects on the photoelectric response and recovery performance of zinc oxide were studied. With the increase of annealing temperature, the concentration of oxygen vacancy and zinc vacancy increase in air atmosphere. After high temperature annealing in nitrogen, the oxygen vacancy concentration increases, but the zinc vacancy is annihilated. The annealed ZnO nanorods showed a more significant photoelectric recovery efficiency than unannealed ZnO nanorods (up to 40 times higher), however, The photoresponse rate of annealed ZnO nanorods to ultraviolet light is weakened.
【作者單位】: 華中科技大學材料科學與工程學院;
【基金】:國家自然科學基金資助項目(50927201)
【分類號】:O614.241;TB383.1
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本文編號:2361231
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