本文選題：自旋電子器件 + 金屬氫化物　； 參考：《物理化學(xué)學(xué)報(bào)》2017年08期

【摘要】：正自旋電子器件基于電子的自旋進(jìn)行信息的傳遞、處理與存儲(chǔ),具有目前傳統(tǒng)半導(dǎo)體電子器件無(wú)法比擬的快速、高效和低能耗等優(yōu)勢(shì),是未來(lái)信息技術(shù)的重要載體~1。尋找具有高自旋極化率與居里溫度的磁性材料,是制備自旋電子器件的一個(gè)基礎(chǔ)。其中,半金屬磁性材料可以提供完全極化的載流子,被視為是構(gòu)建自旋電子器件的理想材料,吸引了相關(guān)領(lǐng)域的廣泛關(guān)注和研究~2。目前,
[Abstract]:Forward spin electronic devices, which transmit, process and store information based on electronic spin, have the advantages of high speed, high efficiency and low energy consumption, which can not be compared with traditional semiconductor electronic devices at present. It is an important carrier of information technology in the future. To find magnetic materials with high spin-polarizability and Curie temperature is the basis for the fabrication of spin electronic devices. Among them, semi-metallic magnetic materials can provide fully polarized carriers and are regarded as ideal materials for the fabrication of spin electronic devices, which has attracted extensive attention and research in related fields. At present,
【作者單位】： 北京師范大學(xué)化學(xué)學(xué)院;
【分類號(hào)】：TB383.1

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1 葉升濤;Co摻雜Mg_xZn_(1-x)O薄膜的微結(jié)構(gòu)及磁性研究[D];山東大學(xué);2016年

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本文編號(hào)：2089235