本文選題：氣敏特性 + ZnO納米線��； 參考：《發(fā)光學報》2017年08期

【摘要】：采用化學氣相沉積(CVD)方法在SiO_2/Si襯底生長了ZnO納米線陣列,納米線長約為15μm,直徑為100~500 nm。通過改變?yōu)R射沉積時間(0~150 s),在ZnO納米線表面包覆了不同厚度的Pd薄膜。在Ar氣氛中,經(jīng)800℃高溫退火后,制備出Pd顆粒表面修飾的ZnO納米線陣列并對其進行了氣敏測試。對于乙醇而言,所有傳感器最佳工作溫度均為280℃。濺射時間的增加(3~10 s)導致ZnO納米線表面Pd納米顆粒數(shù)量及尺寸增加,傳感器響應值由2.0增至3.6。過長的濺射時間(30~150 s)將導致Pd顆粒尺寸急劇增大甚至形成連續(xù)膜,傳感器響應度顯著降低。所有傳感器對H2均表現(xiàn)出相對較好的選擇性,傳感器具有較好的響應-恢復特性和穩(wěn)定性。最后,探討了Pd顆粒表面修飾對ZnO納米線陣列氣敏傳感器氣敏特性的影響機制。
[Abstract]:ZnO nanowire arrays were grown on Sio _ 2 / Si substrate by chemical vapor deposition (CVD). The nanowires are about 15 渭 m in length and 100 渭 m in diameter. PD thin films with different thickness were coated on ZnO nanowires by changing the sputtering time (0 ~ 150 s),). ZnO nanowire arrays modified by PD particles were prepared in ar atmosphere and annealed at 800 鈩，

本文編號：2078542