本文選題：InAs + InP　； 參考：《大連理工大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：N02是一種危害性極大的污染氣體,對(duì)N02進(jìn)行檢測(cè)監(jiān)控顯得尤為迫切。半導(dǎo)體氣體傳感器因其成本低廉、靈敏度高、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),使其成為使用最廣泛使用的氣體傳感器。但也存在不可忽視的缺點(diǎn),例如：工作溫度高,氣敏性能不穩(wěn)定等。采用單晶異質(zhì)結(jié)納米材料,來(lái)提高和優(yōu)化氣體傳感器性能是當(dāng)下的研究方向之一。InAs是一種重要的Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料,具有高載流子遷移率、豐富的表面態(tài)以及窄帶隙等優(yōu)異特性。垂直生長(zhǎng)的InAs納米線陣列在室溫下可以探測(cè)到100 ppb的N02氣體。另外,在InAs納米線表面生長(zhǎng)覆蓋InP包層能大幅改善納米線性能。InAs/InP徑向異質(zhì)結(jié)納米線被廣泛使用于光電探測(cè)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等領(lǐng)域。然而,對(duì)于InAs/InP徑向異質(zhì)結(jié)納米線的氣敏特性研究,目前還沒(méi)有相關(guān)報(bào)道。本文利用MOCVD系統(tǒng)生長(zhǎng)出五種包層厚度的InAs/InP徑向異質(zhì)結(jié)納米線,其InP包層厚度分別為Onm、1.1 nm、 3.3 nn、6.5 nm及18nm。采用介電泳排列技術(shù)結(jié)合微槽方法成功制備出根數(shù)可定、間距可控、定向排列的納米線陣列。首次系統(tǒng)研究了InP包層厚度及測(cè)試溫度對(duì)InAs納米線器件氣敏性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：3.3 nnm的InP包層厚度和50℃的測(cè)試溫度下,器件的靈敏度最高。器件響應(yīng)速率則隨著溫度上升而加快。為了使器件兼具高靈敏度與快響應(yīng)速率,InP包層厚度為3.3 nmn和90℃的測(cè)試溫度最為適合。器件氣敏機(jī)理可以由表面堆積電子氣及水輔助NO2吸附模型解釋。
[Abstract]:N02 is a harmful pollution gas, so it is urgent to monitor N02. Semiconductor gas sensor is the most widely used gas sensor because of its low cost, high sensitivity and fast response. However, there are some disadvantages, such as high working temperature, unstable gas sensitivity and so on. Using single crystal heterojunction nanomaterials to improve and optimize the performance of gas sensors is one of the current research directions. InAs is an important type of 鈪，

本文編號(hào)：2078216