本文選題：Al-xNix合金薄膜 + 半導(dǎo)體電阻率�。� 參考：《原子能科學(xué)技術(shù)》2017年10期

【摘要】：通過(guò)磁控濺射制備了AlNi納米合金薄膜,并利用自制的直排四探針低溫測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量了薄膜電阻率隨溫度(8~300K)的變化規(guī)律。結(jié)果表明:由于電子-聲子和電子-磁子相互作用,純Al和Ni納米晶薄膜的電阻率分別呈現(xiàn)出正的電阻率溫度系數(shù),且電子-磁子散射對(duì)電阻率的貢獻(xiàn)主要體現(xiàn)在高溫區(qū)(80~300K),在低溫區(qū)(40K)電子-晶界/表面散射對(duì)電阻率的貢獻(xiàn)占主導(dǎo)地位。Ni原子摻入量的增加,誘導(dǎo)了納米晶薄膜無(wú)序程度的增強(qiáng),從而使Al1-xNix納米合金薄膜逐漸由晶體的金屬特性過(guò)渡到半導(dǎo)體特性,導(dǎo)致其呈現(xiàn)出負(fù)的電阻率溫度系數(shù)。由于增強(qiáng)的電子極化效應(yīng),Al1-xNix納米合金薄膜電阻率與溫度的關(guān)系并不完全遵循半導(dǎo)體的熱激發(fā)導(dǎo)電模型。
[Abstract]:AlNi nanocrystalline films were prepared by magnetron sputtering, and the resistivity of the films was measured by a self-made four-probe low temperature measurement system. The results show that the resistivity of pure Al and Ni nanocrystalline films shows positive temperature coefficient due to the interaction of electron-phonon and electron-magneton. The contribution of electron-magneton scattering to resistivity is mainly reflected in the high temperature region (80,300Kg), and in the low temperature region (40K) the contribution of electron-grain boundary / surface scattering to resistivity is dominant. The increase of Ni atom doping leads to the enhancement of disorder degree of nanocrystalline thin films. As a result, the Al1-xNix nanocrystalline films are gradually transitioned from the metal properties of the crystals to the semiconductor properties, resulting in a negative temperature coefficient of resistivity. Because of the enhanced electron polarization effect, the relationship between resistivity and temperature of Al _ 1-xNi _ x nanoalloy films does not completely follow the thermal induced conduction model of semiconductors.
【作者單位】： 西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心;
【基金】：西南科技大學(xué)研究生創(chuàng)新基金資助項(xiàng)目(17ycx012) 國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(11674291)
【分類號(hào)】：TB383.2

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 周繼承;田莉;;鎳鉻合金薄膜的研究進(jìn)展[J];材料導(dǎo)報(bào);2005年07期

2 張克華;文東輝;陶黎;袁巨龍;;合金薄膜銅襯底拋光質(zhì)量對(duì)薄膜表面結(jié)構(gòu)的影響[J];金剛石與磨料磨具工程;2007年05期

3 ;日開(kāi)發(fā)調(diào)光鏡玻璃用鎂鎳系合金薄膜[J];真空電子技術(shù);2009年03期

4 ;透氫合金膜的開(kāi)發(fā)[J];金屬功能材料;2006年01期

5 方方;張晶;朱健;鄭時(shí)有;陳國(guó)榮;孫大林;;氫致過(guò)渡族金屬及合金薄膜的光電性能變化[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào);2007年06期

6 戴國(guó)才;宋學(xué)文;陳友鵬;馬洪磊;余亦順;郭清長(zhǎng);;氟系非晶態(tài)硅材料的研究[J];貴金屬;1981年04期

7 沈中良;張曙東;楊輝;吳剛;姚費(fèi)杰;楊立功;;真空電鍍制備非連續(xù)合金薄膜及其在電磁屏蔽中的應(yīng)用[J];材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào);2011年02期

8 劉天成;盧志超;李德仁;孫克;周少雄;盧燕平;;電沉積鐵鎳納米合金薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究[J];功能材料;2007年01期

9 朱從容;呂冰海;鄧乾發(fā);任尹飛;;非晶態(tài)合金薄膜銅襯底超精密拋光的實(shí)驗(yàn)研究[J];金剛石與磨料磨具工程;2011年01期

10 顏心良;王江涌;;二元合金薄膜的表面偏析[J];真空;2012年04期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 張軒雄;陳W，

本文編號(hào)：1982404