本文選題：紅外窗口 + 類金剛石薄膜��； 參考：《紅外技術(shù)》2017年08期

【摘要】：利用直流非平衡磁控濺射技術(shù),在100℃條件下,在單晶硅上制備了具有紅外增透效果的類金剛石薄膜,研究了偏壓對薄膜結(jié)構(gòu)、機(jī)械性能和紅外光學(xué)性能的影響,解釋了薄膜結(jié)構(gòu)與性能之間的關(guān)系。利用場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、Dektak150型臺階儀、Raman光譜儀、納米壓痕儀、橢偏儀和傅里葉紅外吸收光譜儀表征薄膜形貌、結(jié)構(gòu)、硬度、折射率和紅外光學(xué)性能。實驗結(jié)果表明:在偏壓為-100 V時,薄膜中sp3相含量最高,得到最大的納米硬度14.8 GPa和最大折射率2.36,此時透光率為67.3%;在偏壓為-200 V時,薄膜硬度為11.2 GPa,薄膜的折射率為2.06,最接近零反射膜所需折射率,此時透過率最大。
[Abstract]:The diamond-like carbon films with infrared antireflection effect were prepared by DC unbalanced magnetron sputtering at 100 鈩，

本文編號：1871836