本文選題：Cu薄膜 + 磁控濺射�。� 參考：《人工晶體學(xué)報》2017年06期

【摘要】：利用磁控濺射技術(shù),通過正交試驗(yàn)設(shè)計方法,在K9光學(xué)玻璃基底上制備了Cu薄膜,研究了濺射時間、基底溫度和氬氣流量對Cu薄膜光電性能的影響。研究表明:Cu薄膜的透射譜在紫外波段362 nm處有明顯吸收峰,但在可見光波段吸收強(qiáng)度較弱,說明Cu膜在可見波段有較高的透光性;膜厚度增加則光學(xué)透射率降低。電阻率隨膜厚的增大,大體上呈逐漸減小的趨勢;1100 nm為臨界尺寸,Cu膜厚度1100 nm時,電阻率值變化較快;Cu薄膜厚度1100 nm時,電阻率變化緩慢至定值。當(dāng)濺射時間為25 min、基底溫度為300℃、氬氣流量為6.9 sccm時所得樣品在紫外-可見光區(qū)沒有吸收,且導(dǎo)電性好。
[Abstract]:Cu thin films were prepared on K9 optical glass substrate by using the magnetron sputtering technique. The effect of sputtering time, substrate temperature and argon flow on the photoelectric properties of Cu films was studied. The study showed that the transmission spectrum of Cu film had obvious absorption peak at 362 nm in the UV band, but the absorption intensity in the visible band was weak, It shows that the Cu film has a high transmittance in the visible band, and the optical transmittance decreases with the increase of the thickness of the film. The resistivity is gradually decreasing with the increase of the thickness of the film. 1100 nm is the critical size, when the thickness of the Cu film is 1100 nm, the resistivity changes rapidly; when the thickness of the Cu film is 1100 nm, the resistivity changes slowly to the fixed value. When the sputtering time is 25 mi N, the substrate temperature is 300 degrees, and the argon flow rate is 6.9 SCCM. The samples are not absorbed in the UV visible region, and the conductivity is good.

【作者單位】： 河南工業(yè)大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：河南省基礎(chǔ)前沿項(xiàng)目(122300410129)
【分類號】：TB383.2;TG146.11

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本文編號：1858304