本文選題：光電探測器 + 局部表面等離子共振��； 參考：《合肥工業(yè)大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：硒化鎘(CdSe)以及硫化鉍(Bi2S3)由于室溫下具有適中的禁帶寬度,吸引了廣泛注意,并被用來制造各種電子和光電子器件。然而,基于其二者納米結(jié)構(gòu)的光電探測器件性能卻受到響應(yīng)度低的限制,研究發(fā)現(xiàn)這是由于CdSe與Bi2S3納米帶的截面較小,常常只有幾十納米。在本論文中,我們研究了一種具有等離子體效應(yīng)并對紅光有高靈敏度的光電探測器。這種光電探測器是由CdSe、Bi2S3納米帶及其表面修飾的一層具有等離子效應(yīng)的空心納米金顆粒(HGNs)組成,可以通過局部表面等離子體共振(LSPR)來耦合入射光。研究發(fā)現(xiàn)修飾了HGNs的CdSe、Bi2S3納米帶光電探測器對650m的紅光有明顯的敏感性,并且重復(fù)性優(yōu)異。此外,相比未經(jīng)修飾的光電探測器,光電流有很大的提高,這也導(dǎo)致了修飾后的器件響應(yīng)度,探測率都有所提高。通過理論模擬,我們發(fā)現(xiàn)光電流的增加是由于光激發(fā)HGNs產(chǎn)生LSPR特性促使其直接將電子轉(zhuǎn)移到CdSe、Bi2S3納米帶里。研究的總體表明修飾空心納米金顆�？赡苁且环N合理調(diào)節(jié)光,并且優(yōu)化基于半導(dǎo)體材料光電子器件性能的方法。
[Abstract]:Cadmium selenide (CdSe) and bismuth sulphide (Bi2S3) have attracted wide attention due to their moderate bandgap at room temperature and have been used to manufacture various electronic and optoelectronic devices. However, the performance of photodetectors based on their nanostructures is limited by the low responsivity. It is found that this is due to the small cross-section of CdSe and Bi2S3 nanobelts, which are often only tens of nanometers. In this thesis, we study a kind of photodetector with plasma effect and high sensitivity to red light. The photodetector is composed of CdSeO Bi2S3 nanobelts and a layer of hollow gold nanoparticles with plasma effect HGNs, which can be coupled with incident light by local surface plasmon resonance (LSPRR). It is found that the photodetectors modified with HGNs have obvious sensitivity to 650m red light and excellent reproducibility. In addition, compared with the unmodified photodetector, the photocurrent is greatly improved, which leads to the improved device responsivity and detection rate. Through theoretical simulation, we find that the increase of photocurrent is caused by the LSPR characteristics of photoexcited HGNs to transfer electrons directly into CdSee Bi2S3 nanobelts. The results show that the modified hollow gold nanoparticles may be a reasonable way to adjust the light and optimize the performance of photoelectron devices based on semiconductor materials.
【學(xué)位授予單位】：合肥工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TB383.1

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