本文選題：Fe-Ga薄膜 + 磁控濺射��； 參考：《稀有金屬材料與工程》2017年02期

【摘要】：采用磁控濺射方法,以Si(1OO)為襯底在40~80 W功率下制備了Fe_(83)Ga_(17)薄膜,通過XRD、SEM、室溫磁滯回線以及MFM的測(cè)量研究了不同濺射功率制備的Fe-Ga薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌、磁性能和磁疇。XRD結(jié)果表明室溫下薄膜樣品是bcc(11O)晶體結(jié)構(gòu)。SEM觀察結(jié)果表明薄膜顆粒尺寸在40~70 nm且隨著功率增大,薄膜顆粒的尺寸變大,薄膜厚度增加。室溫磁滯回線的測(cè)量結(jié)果表明一定范圍內(nèi)隨著功率增大,樣品的矯頑力H_c總體呈上升趨勢(shì),飽和磁化強(qiáng)度M_s的變化規(guī)律并不明顯,剩余磁化強(qiáng)度M和矩形比Mr/Ms呈緩慢下降的趨勢(shì)。磁疇的觀察結(jié)果表明樣品的磁疇為迷宮疇結(jié)構(gòu),且隨著功率增大,磁疇的尺寸增大。
[Abstract]:FeS-1 OO) thin films were prepared by magnetron sputtering at 4080W power. The structure and morphology of Fe-Ga thin films with different sputtering power were investigated by XRDX SEM, hysteresis loop at room temperature and MFM measurements. The results of magnetic properties and magnetic domain. XRD show that the film sample is bcc11o crystal structure at room temperature. The results of SEM show that the particle size of the thin film increases at 40 ~ 70 nm and with the increase of power, the particle size of the film increases and the thickness of the film increases. The measurement results of the hysteresis loop at room temperature show that the coercivity H _ (C) of the sample increases with the increase of power in a certain range, but the variation of saturation magnetization M _ s is not obvious. The residual magnetization M and rectangle decreased slowly compared with Mr/Ms. The results show that the magnetic domain of the sample is labyrinth structure and the size of the magnetic domain increases with the increase of power.
【作者單位】： 浙江理工大學(xué);臺(tái)州學(xué)院;
【基金】：浙江省自然科學(xué)基金(Y4100618)
【分類號(hào)】：TB383.2

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本文編號(hào)：1809738