本文選題：納米薄膜 + 表面效應(yīng)　； 參考：《內(nèi)蒙古大學(xué)》2015年博士論文

【摘要】：納米層狀材料在現(xiàn)代納米科學(xué)與技術(shù)中有著舉足輕重的地位,隨著材料科學(xué)與制造技術(shù)的持續(xù)發(fā)展,納米層狀材料在微納米機(jī)電器件中的應(yīng)用愈來愈廣泛。然而,納米薄膜材料的性質(zhì)與微米薄膜材料及塊體材料有著很大的不同,其彈性性質(zhì)、磁彈性性質(zhì)及彎曲性質(zhì)均受到表面效應(yīng)的影響。而表面效應(yīng)對納米薄膜性質(zhì)影響方式的理論研究仍然明顯滯后于實(shí)驗(yàn)技術(shù)的發(fā)展,一些基礎(chǔ)問題比如納米薄膜的楊氏模量、泊松比、磁致伸縮系數(shù)以及各種激勵(lì)引起的彎曲問題的理論研究仍然存在較大爭議。納米薄膜由于厚度很小,其對稱性相對于體材料會有所降低,這對納米薄膜彈性和磁彈性有著重要的影響,卻很少引起人們的注意。這些問題均需要更深入的研究與探討。本文通過考慮納米薄膜對稱性的降低,主要研究納米層狀材料的彈性性質(zhì)、磁彈性性質(zhì)、雙層納米薄膜材料晶格失配導(dǎo)致的彎曲、單層納米薄膜表面應(yīng)力導(dǎo)致的彎曲、納米磁性-非磁雙層懸臂梁系統(tǒng)的磁致伸縮彎曲以及各向同性-各向異性彎曲的統(tǒng)一等問題的基本理論,在此基礎(chǔ)上,本文還著重討論彎曲系統(tǒng)內(nèi)部應(yīng)力、應(yīng)變問題,以及彎曲系統(tǒng)的中性面問題。首先,納米薄膜由于表面弛豫而具有與體材料不同的對稱性。其厚度方向上的彈性及磁彈性性質(zhì)與薄膜面內(nèi)方向有所區(qū)別。這就需要引入相應(yīng)的沒有體材料對應(yīng)的彈性系數(shù)及磁彈性系數(shù)來描述其性質(zhì)。納米薄膜對稱性的降低以及相應(yīng)而引入的新的彈性系數(shù)及磁彈性系數(shù)對薄膜性質(zhì)有著重要的影響。相較于體材料(立方對稱性),納米薄膜的對稱性降低為四角對稱(tetragonal symmetry)。在各項(xiàng)同性假設(shè)下,體材料的對稱性可視為球?qū)ΨQ(spherical symmetry),相應(yīng)地,納米薄膜則表現(xiàn)為柱對稱(cylindrical symmetry)。本文以納米薄膜柱對稱能量密度模型及能量極小的基本原理為基礎(chǔ),得到了納米薄膜考慮表面效應(yīng)的胡克定律的矩陣形式,導(dǎo)出了納米薄膜的本構(gòu)關(guān)系,研究了立方晶格納米薄膜材料在表面效應(yīng)影響條件下的楊氏模量、泊松比、雙軸模量,以及楊氏模量、泊松比由于對稱性的降低而導(dǎo)致的的各向異性問題。納米薄膜由于在垂直于薄膜表面的方向上(垂直方向)的平移對稱性及旋轉(zhuǎn)對稱性等立方晶格本應(yīng)具有的對稱性遭到了破壞,從而導(dǎo)致了對稱性的降低。而納米薄膜材料的這些性質(zhì)是楊氏模量及泊松比由各向同性變?yōu)楦飨虍愋缘母�。本文通過將楊氏模量表達(dá)式進(jìn)行泰勒展開,引入了納米薄膜楊氏模量表面效應(yīng)的高階項(xiàng),并對高階項(xiàng)的影響進(jìn)行了詳細(xì)的討論。其次,應(yīng)用柱對稱能量模型研究了表面應(yīng)力引起的單層納米薄膜的彎曲問題,即修正的Stoney公式,以及較之更為復(fù)雜的雙層納米薄膜由界面晶格失配引起同時(shí)受表面應(yīng)力調(diào)制的彎曲問題,即修正的Timoshenko公式。在單層納米薄膜受表面應(yīng)力作用而彎曲的問題中,本文還以考慮表面過渡層的思路對Stoney公式進(jìn)行了更為深入的修正,并與Core-surface表面理論進(jìn)行了比較,在相同條件下,我們的理論可以過渡到Core-surface表面理論的結(jié)果。研究了由各向異性表面應(yīng)力引起的單層納米薄膜的彎曲問題。以修正的Timoshenko公式計(jì)算了Si-Si和InAs-GaAs雙層納米薄膜卷曲直徑,并與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了比較,得到了與實(shí)驗(yàn)符合非常好的結(jié)果,這證實(shí)了我們關(guān)于納米薄膜彈性理論的合理性。通過將理論與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行對比,討論了納米薄膜對稱性降低及相應(yīng)引入的新的彈性參數(shù)對薄膜彈性性質(zhì)的重要影響。再次,應(yīng)用柱對稱理論中彈性理論及磁彈性理論,導(dǎo)出了納米磁性薄膜受表面效應(yīng)影響的磁致伸縮系數(shù),并結(jié)合懸臂梁磁致伸縮彎曲的四參量理論,研究了納米磁性薄膜-非磁襯底的磁致伸縮彎曲問題。在磁致伸縮理論中應(yīng)用我們導(dǎo)出的磁致伸縮系數(shù)表達(dá)式計(jì)算了Fe納米薄膜隨厚度變化的磁致伸縮系數(shù),并與實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了比較,得到了與實(shí)驗(yàn)符合很好的結(jié)果,解決了前人的理論無法解決的Fe納米薄膜隨厚度減小而出現(xiàn)的磁致伸縮系數(shù)的極小值問題。這充分說明了我們的納米磁性薄膜磁致伸縮理論的合理性,同時(shí)也證明了納米薄膜對稱性降低以及新的彈性、磁彈性系數(shù)對納米薄膜性質(zhì)的重要影響。鑒于Core-surface表面理論在目前較為被人們所接受,本文還研究了以Core-surface表面理論為基礎(chǔ)的納米懸臂梁系統(tǒng)磁致伸縮彎曲的四參量理論。最后,綜合上述研究領(lǐng)域及成果,以四參量理論為基礎(chǔ),研究了各向異性應(yīng)變引起的雙層微、納米薄膜的彎曲,將各種驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致的懸臂梁彎曲進(jìn)行統(tǒng)一描述。所得結(jié)果可以涵蓋晶格失配、逆壓電效應(yīng)引起各向同性彎曲即Timoshenko公式,以及各向異性磁致伸縮彎曲的四參數(shù)理論。研究了各向異性彎曲的中性面問題,得到了彎曲系統(tǒng)內(nèi)部可能存在的12個(gè)不同方向不同類型的特殊子平面(曲面),并對這些特殊子平面進(jìn)行了系統(tǒng)的研究、分類和比較。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】：內(nèi)蒙古大學(xué)
【學(xué)位級別】：博士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TB383.1

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本文編號：1742086