本文選題：半導(dǎo)體納米團(tuán)簇 + 碲化鎘(CdTe)��； 參考：《天津工業(yè)大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：作為一種典型的Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料,CdTe納米團(tuán)簇由于其性質(zhì)的可調(diào)性引起了廣泛的關(guān)注,尤其是摻雜納米團(tuán)簇。本文利用密度泛函理論(DFT)對(duì)(CdTe)_(16×N)(N=1-3)納米鏈、Ag摻雜(CdTe)_(16×N)(N=1-2)納米鏈以及Ag摻雜的(CdTe)_(34)殼核納米團(tuán)簇進(jìn)行了研究。首先,對(duì)(CdTe)_(16×N)(N=1-3)納米鏈進(jìn)行了計(jì)算分析,研究結(jié)果表明,納米鏈的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高于組成鏈的單個(gè)籠狀團(tuán)簇,且鏈接個(gè)數(shù)和連接方式是影響團(tuán)簇穩(wěn)定性的兩個(gè)重要原因。此外,納米鏈團(tuán)簇的能帶隙值較單個(gè)(CdTe)16團(tuán)簇能帶隙窄,呈現(xiàn)典型的量子點(diǎn)特性。在(CdTe)_(16×N)(N=1-2)納米團(tuán)簇鏈的基礎(chǔ)上,我們進(jìn)一步研究了 Ag替代摻雜納米鏈的性質(zhì)及其與Ag摻雜位的關(guān)系。研究顯示,摻雜位對(duì)結(jié)合能、能帶隙和態(tài)密度有著直接的影響。Ag摻雜在能帶結(jié)構(gòu)上顯示能帶隙中引入了一新的淺能級(jí),受主能級(jí)。Ag原子以及Ag原子近鄰的三個(gè)Te原子對(duì)該能級(jí)有明顯的貢獻(xiàn),且三個(gè)Te原子中距離Ag原子最遠(yuǎn)的Te原子的貢獻(xiàn)最大。同時(shí),Ag摻雜也改變了團(tuán)簇的電荷密度分布。最后,詳細(xì)分析研究了由一(CdTe)_(28)的籠狀團(tuán)簇內(nèi)嵌了一個(gè)(CdTe)_6團(tuán)簇構(gòu)成的(CdTe)_(34)殼核納米團(tuán)簇及其Ag摻雜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。結(jié)果同樣顯示,摻雜可提高團(tuán)簇的穩(wěn)定性,且性質(zhì)均隨摻雜位不同而變化。
[Abstract]:As a typical type of 鈪，

本文編號(hào)：1735651