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平行磁場(chǎng)作用下電沉積Co-Ni-Mn-P磁性薄膜

發(fā)布時(shí)間:2018-04-04 17:14

  本文選題:平行磁場(chǎng) 切入點(diǎn):Co-Ni-Mn-P磁性薄膜 出處:《電鍍與環(huán)!2017年02期


【摘要】:在平行磁場(chǎng)作用下電沉積Co-Ni-Mn-P磁性薄膜。研究了平行磁場(chǎng)對(duì)電沉積過(guò)程及薄膜性能的影響。研究發(fā)現(xiàn):施加平行磁場(chǎng),有利于提高離子的傳質(zhì)速率,從而提高沉積效率。平行磁場(chǎng)作用下電沉積制備的Co-Ni-Mn-P磁性薄膜呈現(xiàn)出"枝晶狀"結(jié)構(gòu),矯頑力和比飽和磁化強(qiáng)度更高。
[Abstract]:Co-Ni-Mn-P magnetic films were electrodeposited under the action of parallel magnetic field.The effect of parallel magnetic field on electrodeposition process and film properties was studied.It is found that the application of parallel magnetic field can increase the mass transfer rate of ions and improve the deposition efficiency.The Co-Ni-Mn-P magnetic films prepared by electrodeposition under parallel magnetic field have a "dendritic" structure with a higher coercivity and higher saturation magnetization.
【作者單位】: 烏海職業(yè)技術(shù)學(xué)院;
【分類號(hào)】:TB383.2

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本文編號(hào):1710903


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