本文選題：硅納米帶　切入點：空位缺陷　出處：《人工晶體學報》2017年05期

【摘要】：基于密度泛函理論,采用廣義梯度近似下的第一性原理投影綴加波贗勢方法,系統(tǒng)的研究了單空位(雙空位)缺陷對鋸齒型硅納米帶電子結構和磁性的影響。結果表明:不同位置的單原子空位(雙原子空位)鋸齒型硅納米帶,結構弛豫后,都能得到一個九邊環(huán)(八邊環(huán)),同類缺陷更容易在鋸齒型硅納米帶的邊緣區(qū)域形成;與完整的鋸齒型硅納米帶相比,中心位置含空位缺陷(單原子或雙原子空位)的鋸齒型硅納米帶由原有的反鐵磁半導體轉變?yōu)榉磋F磁金屬;非中心位置含空位缺陷(單原子或雙原子空位)的鋸齒型硅納米帶則具有鐵磁態(tài)金屬性,在遠離缺陷的納米帶邊緣硅原子上局域的分布著差分電荷密度,這使得鋸齒型硅納米帶在自旋電子學領域擁有可觀的應用前景。
[Abstract]:Based on density functional theory, the first-principle projective affixed pseudopotential method is used in the generalized gradient approximation. The effects of single vacancy (double vacancy) defects on the electronic structure and magnetic properties of the zigzag silicon nanoribbons are systematically studied. The results show that the single atomic vacancy (diatomic vacancy) zigzag silicon nanoribbons with different positions are relaxed after the structural relaxation of the zigzag silicon nanoribbons. Can get a nine-sided ring (octagonal ring), the same defects are more easily formed in the edge region of the zigzag silicon nanobelts, compared with the complete serrated silicon nanobelts, The zigzag silicon nanobelts with vacancy defects (monatomic or diatomic vacancies) in the center changed from antiferromagnetic semiconductors to antiferromagnetic metals. The zigzag silicon nanoribbons with vacancy defects (monatomic or diatomic vacancies) in the noncentral position have ferromagnetic properties, and the differential charge density is distributed locally on the edge silicon atoms of the noncentral nanobelts. This makes serrated silicon nanobelts promising applications in spin electronics.
【作者單位】： 西安醫(yī)學院醫(yī)學技術系;
【基金】：西安醫(yī)學院青年科研基金(2016QN30)
【分類號】：TB383.1;TQ127.2

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本文編號：1674320