本文選題：TiN薄膜　切入點(diǎn)：離子源循環(huán)轟擊　出處：《中國(guó)表面工程》2017年01期

【摘要】：為研究離子源循環(huán)轟擊對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響,通過(guò)離子源轟擊輔助直流磁控濺射在200℃下沉積不同循環(huán)周期Ti N薄膜,采用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡、原子力顯微鏡、X射線衍射儀表征薄膜表面形貌及組織結(jié)構(gòu)。采用納米壓痕儀檢測(cè)涂層的硬度和彈性模量。采用雙電測(cè)四探針電阻儀測(cè)試室溫下薄膜的電學(xué)性能。結(jié)果表明:離子源轟擊在薄膜中形成了分層結(jié)構(gòu),膜層更加致密光滑,平均粗糙度由5.2 nm下降為2.7 nm。隨著離子源循環(huán)轟擊周期增加薄膜結(jié)晶性增強(qiáng),并且當(dāng)離子源循環(huán)轟擊周期為3次時(shí)出現(xiàn)了Ti N(200)峰,薄膜硬度和彈性模量提高。當(dāng)經(jīng)過(guò)2次離子源循環(huán)轟擊時(shí)薄膜電阻值最低為8.1μΩ·cm。
[Abstract]:In order to study the effect of ion source cyclic bombardment on the structure and electrical properties of thin films, tin thin films with different cycles were deposited by ion source bombardment assisted DC magnetron sputtering at 200 鈩，

本文編號(hào)：1672752