本文選題：薄膜生長　切入點：成核機理　出處：《哈爾濱理工大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：近年來，納米技術(shù)發(fā)展迅速，在諸多領(lǐng)域都得到了大量應(yīng)用。而納米技術(shù)在光電子、新能源以及催化劑材料等方面的研究，更展現(xiàn)出無限前景。如今納米技術(shù)已經(jīng)被諸多行業(yè)視為一項源頭技術(shù)，正受到到越來越多的行業(yè)的青睞。在納米材料的研究中，薄膜材料的地位一直舉足輕重。因為薄膜材料有著多種優(yōu)異性能，例如優(yōu)異的光學(xué)性能、耐腐蝕性還有耐磨性能等等。不僅如此，物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積等靈活多樣的制取方法也使得薄膜材料有著廣泛的追捧者，因而也越來越需要可控的制備出滿足特殊需求的納米材料和納米結(jié)構(gòu)。 要實現(xiàn)薄膜材料和結(jié)構(gòu)的可控制備，就需要研究原子沉積、擴散、吸附、成核以及薄膜生長等過程，探索形核機理以及材料生長模式。而現(xiàn)有的實驗觀測手段很難對其分子層面的空間尺度和飛秒量級的時間尺度進行研究，因此我們采用分子模擬方法來對微觀成核聚集過程進行研究，探索成核生長的機理和規(guī)律，為實現(xiàn)材料的可控制備奠定理論基礎(chǔ)，同時可以對實驗進行指導(dǎo)，提高實驗效率，減少實驗的盲目性。 本課題的研究主要有兩部分，第一部分是沉積過程中氣相原子的成核過程和成核機理研究，而第二部分研究影響原子在基體上形成薄膜的形貌及生長方式的因素，以期通過結(jié)合這兩方面的研究來為薄膜生長的可控制備提供理論依據(jù)。 我們采用分子模擬的方法研究了Ag原子成核的過程，發(fā)現(xiàn)在Ag納米團簇形成的過程中，主導(dǎo)成核聚集過程的方式是團簇和團簇之間的聚集。經(jīng)典成核理論以及現(xiàn)有的其它研究假設(shè)都認為成核的方式是單原子逐個結(jié)合的過程，而我們的模擬結(jié)果表明成核初始時最容易形成二聚體和三聚體等小團簇，隨著時間的增加，更多的是小團簇之間發(fā)生聚集形成更大的團簇，而不是一個一個原子逐漸聚集的過程。團簇和團簇之間的相互作用，如團簇聚集、團簇分解等方式主導(dǎo)著成核進程，同時，我們得到的團簇尺寸分布隨時間的演化結(jié)果也說明了這一成核主導(dǎo)方式。 模擬結(jié)果還表明決定晶胚能否繼續(xù)長大的因素是晶胚自身的結(jié)構(gòu)。經(jīng)典成核理論認為，晶胚能否長大取決于其自身尺寸是否超過臨界半徑，而我們的結(jié)果表明在成核聚集過程中，一些納米團簇會形成穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)(不活躍團簇)，這樣的團簇不容易再發(fā)生聚集長大，，而那些非晶的團簇(活躍團簇)很容易繼續(xù)發(fā)生聚集而成核長大。因此，決定晶胚能否繼續(xù)長大的并不是團簇的尺寸是否超過臨界半徑，而是由晶胚的結(jié)構(gòu)是否形成活躍性團簇所決定，這一點也和經(jīng)典成核理論的描述不同。其中活躍團簇是晶胚繼續(xù)長大的主動支配者，而穩(wěn)定團簇只是參與者。 針對沉積過程中薄膜形貌及生長方式調(diào)控的研究結(jié)果表明，擴散速率對于薄膜生長方式和形貌有著較大影響。擴散速率小時主要為島狀生長，表面較為粗糙；而擴散速率增加后則以層狀生長為主，表面較為平整。溫度增加后導(dǎo)致原子的表面擴散增加，但對最終的形貌影響不夠明顯。因此，擴散速率對生長模式和形貌的影響遠超過溫度對它的影響。而島狀結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)會使薄膜質(zhì)量降低，是薄膜制取過程中需要極力避免的。因此若想對薄膜生長進行可控制備，對沉積區(qū)域溫度的控制以及對沉積原子擴散速率的調(diào)控至關(guān)重要。
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【學(xué)位授予單位】：哈爾濱理工大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TB383.2

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前3條

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本文編號：1666843