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  本文選題：石墨烯　切入點：化學氣相沉積　出處：《人工晶體學報》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用化學氣相沉積法以乙醇為碳源在銅箔生長的單層高質量的石墨烯并將其轉移到SiO_2/Si基底上。然后在通過自組裝的方法在石墨烯表面覆蓋一層單層的PS微球陣列。采用反應離子刻蝕的方法在一定的刻蝕條件下對其進行刻蝕,隨著刻蝕的時間增加,PS微球的會被逐漸刻蝕掉,石墨烯也會在這個過程中隨著被刻蝕。將殘留的PS微球雜質去掉后,會在SiO_2/Si基底上呈現(xiàn)出排列規(guī)整的石墨烯納米盤陣列。通過場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)、拉曼光譜對石墨烯納米盤及其形成過程進行表征和分析,為后續(xù)制備高質量石墨烯納米帶、石墨烯納米點、石墨烯納米盤提供參考。
[Abstract]:High quality graphene grown in copper foil was prepared by chemical vapor deposition with ethanol as carbon source and transferred to SiO_2/Si substrate. A single layer of PS microsphere array was then coated on the surface of graphene by self-assembly method. The reactive ion etching method was used to etch it under certain etching conditions. As the etching time increases, the PS microspheres will gradually be etched, and the graphene will also be etched along with the etching process. A structured array of graphene nanowires is presented on the SiO_2/Si substrate. The graphene nanowires and their formation processes are characterized and analyzed by field emission scanning electron microscopy (SEM) and Raman spectroscopy to prepare high quality graphene nanoribbons. Graphene nanowires, graphene nanodisks for reference.
【作者單位】： 西南科技大學無機非金屬材料國家重點實驗室;中國工程物理研究院激光聚變研究中心;
【基金】：國家自然科學基金(11404304) 國家重點科學儀器和設備開發(fā)項目(2014YQ090709) 中國工程物理研究院科學技術發(fā)展基金(2015B0302003)
【分類號】：TQ127.11;TB383.1

【參考文獻】

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本文編號：1645442