本文選題：PTT合金　切入點(diǎn)：納米MMT　出處：《青島科技大學(xué)》2015年碩士論文　論文類型：學(xué)位論文

【摘要】：聚對苯二甲酸丙二醇酯(PTT)在合金化過程中存在結(jié)晶性能下降等情況,本課題組采用納米MMT作為異相成核粒子對PTT/PP、PTT/PC、PTT/ABS合金的結(jié)晶性能進(jìn)行調(diào)控,旨在研究納米MMT的加入形成的多層次結(jié)構(gòu)對PTT合金結(jié)晶性能的影響。納米MMT對PTT/PP合金的結(jié)晶性能調(diào)控結(jié)果表明：2wt%的MMT主要以沿相界面走向的條形聚集體形式分布在PTT/PP合金的兩相界面上,或良好地分散在PTT相中,使PTT/PP(80/20)合金中PTT相的峰值結(jié)晶溫度由174.3℃上升到193.4℃,△T減小10.0℃,而對PP相結(jié)晶行為影響不大。MMT用量的增加顯著影響分散相在基體中的分散-聚集平衡,但對其結(jié)晶行為影響不明顯。5wt%的界面相容劑PP-g-MAH的加入可以使MMT的剝離程度增加,在改善界面狀態(tài)的同時(shí)也顯著影響了PTT相的結(jié)晶。以70/30 PTT/PC/lwt%MMT為例研究了混煉溫度、混煉次序、轉(zhuǎn)速等因素對PTT/PC合金結(jié)晶性能的影響,研究發(fā)現(xiàn)：低溫master batch法中MMT在基體中以部分剝離、部分插層狀態(tài)傾向于分布在相界面和PTT相中,形成沿界面取向分布的球狀MMT層,其對PTT相結(jié)晶較強(qiáng)的誘發(fā)能力彌補(bǔ)了界面處PC鏈段對PTT相球晶生長的抑制作用,使PTT相峰值結(jié)晶溫度提高。隨著MMT用量的增加以及有限的界面面積,MMT在促進(jìn)了PTT相的成核能力的同時(shí)也干擾了結(jié)晶的生長過程。當(dāng)轉(zhuǎn)速較低時(shí),界面相容劑epoxy的加入能夠增加MMT在基體中的剝離程度,促進(jìn)樣品的結(jié)晶過程,高轉(zhuǎn)速下epoxy的抑制作用超過其對結(jié)晶的促進(jìn)作用。納米MMT對PTT/ABS合金的結(jié)晶性能調(diào)控結(jié)果表明：在PTT/ABS(80/20)合金中,1wt% MMT的加入使PTT的峰值結(jié)晶溫度向高溫移動(dòng)10.3℃,△T減小6.6℃,但結(jié)晶焓降低7.8J/g, MMT的存在極大的促進(jìn)了PTT相的結(jié)晶,但干擾了結(jié)晶過程中PTT鏈段的有序排列以及其結(jié)晶的完善程度。加入1wt%的epoxy做相容劑,峰值結(jié)晶溫度反而向低溫方向移動(dòng)3.3℃,說明相容劑的增容過程對PTT結(jié)晶的抑制作用超過了MMT對PTT結(jié)晶的促進(jìn)作用。
[Abstract]:The crystallization properties of PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT / PTT /. In order to study the effect of the multi-layer structure formed by the addition of nanometer MMT on the crystallization properties of PTT alloy, the results of controlling the crystallization properties of PTT/PP alloy by nanometer MMT show that the distribution of MMT in% 2 wt% is mainly in the form of stripe aggregates along the interface of phase. At the two-phase interface of PTT/PP alloy, Or well dispersed in PTT phase, the peak crystallization temperature of PTT phase in PTT / PP / 80 / 20) alloy increases from 174.3 鈩，

本文編號：1584659