本文關(guān)鍵詞： 大尺寸 溫度 “H:C” Si基底 Mo基底 減少工作量　出處：《牡丹江師范學(xué)院》2015年碩士論文　論文類(lèi)型：學(xué)位論文

【摘要】：本論文采用間歇式P-CVD法,H2/CH4氣氛。以直徑20mm的Si基底在上直徑40mm的Mo基底在下的疊放方式,同時(shí)研究了溫度對(duì)二者合成金剛石膜的影響。通過(guò)SEM、RAMAN分析得出Si基底合成金剛石膜的適宜溫度為850±20℃,基于此研究了“H:C”對(duì)直徑40mm的Si基底合成金剛石膜的影響,通過(guò)分區(qū)表征、分析得出,合成金剛石膜的適宜“H:C”為“104:1”,并合成了質(zhì)量、結(jié)晶性和均勻性較好的大尺寸金剛石膜。為預(yù)測(cè)合成更大尺寸金剛石膜需在現(xiàn)有工藝條件上如何進(jìn)行調(diào)節(jié),探索了基底尺寸對(duì)金剛石膜形核、生長(zhǎng)的影響。通過(guò)Si、Mo基底的中心溫度差,以及SEM、RAMAN分析得出,Mo基底合成金剛石膜的適宜溫度為870±20℃,經(jīng)驗(yàn)證后證明“同時(shí)研究同種條件因素對(duì)兩種基底合成金剛石膜影響”可行,避免了重復(fù)實(shí)驗(yàn)的時(shí)間和工作量,節(jié)約了資源。進(jìn)一步下調(diào)“H:C”,成功合成了較高品質(zhì)的大尺寸金剛石膜。
[Abstract]:In this paper, the method of intermittent P-CVD is used to fabricate H _ 2 / Ch _ 4 atmosphere. In this paper, the Si substrate with diameter 20mm is stacked under the Mo substrate with a top diameter of 40mm. At the same time, the effect of temperature on diamond films was studied. The optimum temperature of synthetic diamond films on Si substrate was 850 鹵20 鈩，

本文編號(hào)：1549250