本文關鍵詞： GZO薄膜 濺射功率 電學性能 光學性能　出處：《材料科學與工程學報》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：本文采用直流磁控濺射沉積系統(tǒng)在玻璃基底上沉積鎵摻雜氧化鋅(GZO)薄膜,將濺射功率從120W調整到240W,步長為30W,研究功率變化對GZO薄膜的晶體結構、表面形貌、光學性能和電學性能的影響。結果表明,濺射功率對GZO薄膜電阻率有顯著的影響。濺射功率為210W時薄膜呈現(xiàn)最低電阻率為3.31×10~(-4)Ω·cm,可見光波段平均光學透光率接近84%。隨著濺射功率的增加,薄膜表面形貌和生長形態(tài)發(fā)生較大變化,并直接得到具有一定凸凹不平的微結構,GZO薄膜的致密性先增加后降低。
[Abstract]:Gallium doped ZnO GZO thin films were deposited on glass substrates by DC magnetron sputtering system. The sputtering power was adjusted from 120W to 240W and the step length was 30W. The effect of power variation on the crystal structure and surface morphology of GZO thin films was studied. Effects of optical and electrical properties. The results show that, The sputtering power has a significant effect on the resistivity of GZO films. The lowest resistivity of the films is 3.31 脳 10 ~ (-4) 惟 路cm, and the average optical transmittance is close to 84 when the sputtering power is 210W. The surface morphology and growth morphology of GZO thin films have been changed greatly, and the densification of GZO thin films with a certain uneven structure has been obtained by increasing the density of GZO films at first and then decreasing them.
【作者單位】： 蚌埠玻璃工業(yè)設計研究院浮法玻璃新技術國家重點實驗室;大連交通大學;蚌埠市第二中學;
【基金】：安徽省科技攻關計劃資助項目(1704a0902010,1704a0902014,1501021046)
【分類號】：TB383.2

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本文編號：1540031