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一維梯度直徑磁性納米線的制備及其相關(guān)特性研究

發(fā)布時間:2018-01-29 05:24

  本文關(guān)鍵詞: Fe-Co合金 梯度納米線 AAO模板 電沉積 磁學(xué)性能 出處:《浙江工業(yè)大學(xué)》2015年碩士論文 論文類型:學(xué)位論文


【摘要】:本文使用具有梯度直徑孔道的陽極氧化鋁(Anndic Aluminum Oxide,AAO)為成型模板,采用直流電沉積法(DC)成功制備出直徑為20nm、50nm、100nm的均勻直徑以及20-100nm梯度直徑的Fe-Co合金納米線。采用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM)對納米線進(jìn)行物相分析和微結(jié)構(gòu)表征,通過振動樣品磁強(qiáng)計(VSM)對納米線進(jìn)行磁學(xué)性能表征,應(yīng)用一階反轉(zhuǎn)曲線測試(FORC)對納米線的磁化反轉(zhuǎn)機(jī)理進(jìn)行分析。通過與同成分的均勻直徑合金納米線的磁學(xué)性能進(jìn)行對比,深入分析和研究了梯度直徑納米線陣列的新穎特性。具有直徑梯度的Fe-Co納米線采用兩步陽極氧化法制備。首先,將純度為99.999%的鋁板進(jìn)行表面處理,后于80V恒壓、室溫環(huán)境下進(jìn)行一次陽極氧化;而后進(jìn)行鋁板的二次陽極氧化,即擴(kuò)孔處理。為獲得梯度直徑納米孔,所施加氧化電壓需從15V逐步升高至80V,在電壓逐漸升高的過程中,納米孔道直徑均勻變大,最終形成具有梯度孔徑的AAO模板;隨后采用磁控濺射法在直徑小的一端鍍一層均勻的導(dǎo)電金屬膜,利用負(fù)壓促使電解液進(jìn)入納米孔道,在3V直流電壓下制備梯度直徑納米線陣列。通過調(diào)控溫度、電壓、反應(yīng)時間(擴(kuò)孔時間以及氧化時間)等工藝參數(shù),成功合成出直徑從20nm到100nm梯度變化的Fe-Co合金納米線陣列。采用VSM分別從平行和垂直于納米線陣列軸向方向測試室溫磁滯回線。研究發(fā)現(xiàn),均勻直徑納米線的陣列矯頑力隨納米線直徑的增大而減小,而梯度直徑納米線在平行與垂直軸向上的矯頑力幾乎相等,并展現(xiàn)了極高的鉅磁性。為獲得納米線陣列的相互作用與磁化反轉(zhuǎn)信息,對納米線陣列進(jìn)行了FORCs曲線測量,并探究和分析了不同直徑分布對納米線相互作用的影響。結(jié)果顯示,當(dāng)相鄰納米線邊緣外徑間距直徑小時,偶極相互作用占主導(dǎo)地位,而當(dāng)相鄰納米線外徑間距較直徑于時,相互作用以交換方式為主導(dǎo)。特別是梯度直徑納米線在20nm端為偶極相互作用,而在100nm端則表現(xiàn)為交換相互作用,這說明梯度直徑納米線中存在著偶極相互作用和交換相互作用的主導(dǎo)地位的轉(zhuǎn)化。
[Abstract]:An array of Fe - Co alloy nanowires with a diameter of 20 nm , 50 nm , 100 nm and a gradient diameter of 20 - 100 nm were prepared by means of direct current deposition ( XRD ) , scanning electron microscopy ( SEM ) and transmission electron microscopy ( TEM ) .

【學(xué)位授予單位】:浙江工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號】:TB383.1

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本文編號:1472648

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