氧化鎵及鎵酸鋅的制備、表征及其性能研究
本文關鍵詞: 氧化鎵 鎵酸鋅 納微米材料 光催化 光生電荷分離 出處:《陜西科技大學》2017年碩士論文 論文類型:學位論文
【摘要】:構造新穎的材料吸引了越來越多學者的關注并且有著廣泛的應用。在這些材料中,以氧化鎵及其含氧酸鹽的納米粒子,納米棒,納米帶等為結構的材料又受到了額外的注意。原因不僅在于被不斷制備出來納米結構形態(tài)萬千,更是因為在光、電、磁、熱、傳感等領域,以這些納米結構為基礎的納米器件已經被市場接受,普及度和應用前景都很廣。氧化鎵及鎵酸鋅,作為一種典型的氧化物半導體納米材料,已被廣泛研究,而且還可以作為很好的光催化劑,在污水處理方面發(fā)揮潛在的應用價值。但是目前已有的合成方法生產周期長,產品形貌不規(guī)則,團聚比較嚴重,分散性差,嚴重影響了其在光催化領域的應用性能和阻礙了其在市場的流行。因此,本文主要從制備方法上著手,通過不斷完善和改進制備方案,尋求最佳的產物尺寸和形貌,來獲得性能更好的氧化鎵和鎵酸鋅材料。本文的研究重點為氧化鎵和鎵酸鋅,通過了解其內部結構和外部形貌,控制其制備過程中的各種影響因素,來推測其生長歷程,以期利用更簡便的制備途徑來獲得光催化降解性能更好的材料。本論文的研究內容如下:(1)選用前驅體熱分解法成功得到了表面為孔狀結構的氧化鎵(Ga_2O_3)微晶。運用多種測試手段對所得顆粒的物相、形貌和性能進行了綜合探討,結論為:所得Ga_2O_3屬單斜晶系,結構為較為均一的長方塊體,其表面分布著尺寸大約為30 nm的孔洞。所得Ga_2O_3長方體帶隙能值僅為4.13 eV,與理論數據相比,縮小了0.77 eV。可能是受Ga_2O_3制備過程中的高溫高壓環(huán)境的影響,使得其結晶度、形貌、氧空位數不同,雜質能級交疊于價帶,進而導致Ga_2O_3帶隙縮小。除此之外,所得Ga_2O_3還對剛果紅溶液光催化效果較好,可接近90%。原因可能是Ga_2O_3催化產生的高活性物質與剛果紅分子進行反應,破壞了其共軛體系和C-N鍵。(2)以硝酸鎵(Ga(NO_3)_3)為鎵源,油酸(C_(18)H_(34)O_2)、無水乙醇(CH_3CH_2OH)和蒸餾水作為混合溶劑,采取溶劑熱法成功的得到納米Ga_2O_3小球。實驗表明,Ga_2O_3小球的最佳制備條件是油酸5 mL,水/乙醇體積比為1:4,反應溫度為150℃,反應時間8 h。油酸對Ga_2O_3晶粒在可控生長和形貌等方面具有重要的作用,進而,提出了Ga_2O_3小球的可能形成機理。對Ga_2O_3進行光催化和電化學阻抗測試,測試結果顯示,其對臧紅T有較好的光催化效果,原因在于Ga_2O_3有較高的電荷分離速率。(3)以Ga_2O_3為基底材料,碳酸鋅(ZnCO_3)為鋅源,通過水熱法成功地制備出形貌規(guī)整的鎵酸鋅(ZnGa_2O_4)棒狀微晶。所得棒狀微晶長徑大致為300 nm。此外,研究了Zn~(2+)/Ga~(3+)的比值,反應溫度和p H值對產物形貌的影響。其中,p H值對鎵酸鋅(ZnGa_2O_4)的形成起主要的作用。并發(fā)現光照30 min,就可使剛果紅、甲基橙的降解率分別為90%和83%。(4)在較低溫度下,以氧化鋅(ZnO),氯化鎵(GaCl_3)和氯化鈷(CoCl_2·6H_2O)為原料,成功制備出了ZnGa_2O_4以及Co摻雜鎵酸鋅(Zn_(1-x)Co_x Ga_2O_4)。通過多種手段對產物進行表征,結果表明,Co可以影響材料的形貌,提高材料的性能,因為Co摻雜ZnGa_2O_4有利于電子空穴分離,使其有著比單體更加良好的光催化性能。且在制備過程中發(fā)現,影響ZnGa_2O_4納米方塊的形成的關鍵是表面活性劑CTAB,其在體系中起模板的作用,可以形成混合膠束。又因為不同晶面與CTAB作用的強弱有差異,導致一些晶面吸附了CTAB,生長被限制,而另一些裸露的晶面能快速生長,這個過程使納米材料的形貌徹底發(fā)生變化。
[Abstract]:......
【學位授予單位】:陜西科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2017
【分類號】:TB383.1
【參考文獻】
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,本文編號:1472242
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