發(fā)布時(shí)間：2018-01-25 02:21

  本文關(guān)鍵詞： Si納米線 Y摻雜 光致發(fā)光 結(jié)構(gòu)特性　出處：《光譜學(xué)與光譜分析》2017年05期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：以n型單晶Si(111)為襯底,利用Au作為催化劑,在溫度、N2流量和生長時(shí)間分別為1 100℃,1.5L·min-1和60min的條件下,基于固-液-固生長機(jī)制,生長了直徑為60~80nm、長度為數(shù)十微米的高密度Si納米線。隨后,以Y_2O_3粉末為摻雜源,采用高溫?cái)U(kuò)散方法對Si納米線進(jìn)行了釔(Y)摻雜。利用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀和熒光分光光度計(jì)對不同摻雜溫度(900~1 200℃)、摻雜時(shí)間(15~60min)和N2流量(0~400sccm)等工藝條件下制備的Y摻雜Si納米線的形貌、成分、結(jié)晶取向以及激發(fā)光譜和發(fā)射光譜特性進(jìn)行了詳細(xì)的測量和表征。結(jié)果表明,在摻雜溫度為1 100℃,N2流量為200sccm、摻雜時(shí)間為30min和激發(fā)波長為214nm時(shí),Y摻雜Si納米線樣品表現(xiàn)出較好的發(fā)光特性。樣品分別在470~500和560~600nm范圍內(nèi)出現(xiàn)了兩條發(fā)光譜帶。560~600nm的發(fā)光帶由兩個(gè)發(fā)光峰組成,峰位分別為573.6和583.8nm,通過結(jié)構(gòu)分析可以推測,這兩個(gè)發(fā)光峰是由Y3+在Si納米線的帶隙中引入的雜質(zhì)能級引起的。而470~500nm較寬的發(fā)光帶同樣來源于Y離子在Si納米線帶隙中引入的與非晶SiOx殼層中氧空位能級十分接近的雜質(zhì)能級。
[Abstract]:Using n-type single crystal Si-111) as substrate and au as catalyst, the flow rate and growth time of N _ 2 at 1 100 鈩，

本文編號：1461715