鉭和銀的引入對氮化鉿薄膜電學及摩擦磨損性質(zhì)的影響
本文關(guān)鍵詞:鉭和銀的引入對氮化鉿薄膜電學及摩擦磨損性質(zhì)的影響 出處:《吉林大學》2017年碩士論文 論文類型:學位論文
更多相關(guān)文章: 氮化鉿 薄膜 結(jié)構(gòu) 電導率 摩擦磨損性質(zhì)
【摘要】:過渡族金屬氮化物(TMN,TM=Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W)薄膜由于具有高硬度、導電性、耐磨耐腐蝕、熱穩(wěn)定性、化學穩(wěn)定性、擴散阻擋以及生物相容性被廣泛地應用于航空航天、生物醫(yī)學、微電子器件、汽車工業(yè)等領(lǐng)域。在這些應用中,薄膜的電學及摩擦磨損性質(zhì)起到至關(guān)重要的作用,因此改善這些特性十分必要,F(xiàn)有研究表明,引入第二種金屬元素可以改變薄膜的電導及摩擦磨損性質(zhì)。但仍然存在以下問題:1.引入過渡族金屬元素。(1)引入第二種過渡族金屬元素結(jié)構(gòu)到底是如何演變的,是形成固溶體結(jié)構(gòu)還是多相混合結(jié)構(gòu)?目前報道的結(jié)果還存在分歧。(2)引入第二種過渡族金屬元素電導率是增加還是減小?現(xiàn)有報道的結(jié)果相互矛盾。(3)引起摩擦磨損性能提高的原因是什么?研究者已經(jīng)發(fā)現(xiàn)引入第二種過渡族金屬元素可以提高薄膜摩擦磨損性質(zhì),但機制不盡相同。有人認為是H3/E2值起決定作用,有人則歸因于氧化物的產(chǎn)生。2.引入金屬銀。(1)目前對于向過渡族金屬氮化物中引入銀的研究中,銀含量基本都低于30 at.%,但高含量的銀對薄膜結(jié)構(gòu)及性質(zhì)的影響鮮有報道。(2)與引入過渡族金屬相比,引入銀對薄膜結(jié)構(gòu)演變及對性能改善上有何影響及不同?針對以上問題,我們利用共濺射技術(shù)向氮化鉿薄膜中分別引入鉭和銀,制備了不同成分的Hf-Ta-N薄膜和Hf-Ag-N薄膜。通過X射線衍射儀(XRD)、拉曼光譜儀、透射電子顯微鏡(TEM)表征相結(jié)構(gòu),用X射線光電子能譜(XPS)、X射線能譜(EDS)分析薄膜樣品成分,用霍爾等測試電學性質(zhì),用掃描電子顯微鏡(SEM)、光學顯微鏡、納米壓痕儀、輪廓儀及摩擦磨損儀等表征摩擦磨損性質(zhì)。研究發(fā)現(xiàn):1.無論Ta含量(x=Ta/(Hf+Ta+N))如何變化,Hf-Ta-N薄膜均為固溶體結(jié)構(gòu)。在HfN薄膜中引入適量的Ta可以改善HfN薄膜的電導率,這歸因于電子濃度的增加。本文研究發(fā)現(xiàn),當x=0.03時,Hf-Ta-N薄膜的電導率(8.3×105 Sm-1)最大,分別是純HfN(4.9×105 Sm-1)和純TaN(1.6×105 Sm-1)的1.7倍和5.2倍。另外,引入適當?shù)腡a可以減小薄膜的磨損率和摩擦系數(shù),這歸因于H/E和H3/E2的增加引起薄膜的抗塑性變形能力增強,從而使薄膜的抗摩擦磨損能力提高。本文研究發(fā)現(xiàn),在x=0.37時,磨損率(1.2×10-6 mm3/Nm)及摩擦系數(shù)(0.50)均達到最小值,分別只有純HfN(11.6×10-6 mm3/Nm和0.65)和純TaN(2.5×10-6 mm3/Nm和0.55)的10%和77%,49%和91%。2.隨著Ag含量(x=Ag/(Hf+Ag+N))的增加,Hf-Ag-N薄膜經(jīng)歷兩個階段的結(jié)構(gòu)演變:階段(i)當0≤x0.039,薄膜為巖鹽結(jié)構(gòu)的固溶體;階段(ii)當0.039≤x≤1,富銀相析出,薄膜為固溶體和富銀相兩相共存結(jié)構(gòu)。引入Ag可以同時提高HfN薄膜的電導率和摩擦磨損性質(zhì)。本文研究發(fā)現(xiàn),隨著x從0增加到1,薄膜電導率從3.22×105 Sm-1持續(xù)增加到33.1×105 Sm-1,這歸因于Ag的引入引起了電子濃度的增加,并且高含量Ag使薄膜具有Ag金屬特性。當x=0.171時,有最優(yōu)的摩擦磨損性質(zhì),磨損率(0.54×10-6 mm3/Nm)及摩擦系數(shù)(0.38)相較于純HfN(16.7×10-6 mm3/Nm和0.62)分別減小了96.8%和38.7%,這歸因于固溶強化和Ag低剪切強度的共同作用。此外,這些結(jié)果表明,合金化是提高過渡族金屬氮化物的導電性和摩擦磨損性質(zhì)的有效方法。相較于Hf-Ta-N薄膜,Hf-Ag-N薄膜的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)了由固溶體到相分離的轉(zhuǎn)變;電導率的提高歸因于Ag比Ta有更高的電子濃度,更有益于薄膜的電導率提高;而摩擦磨損性質(zhì)的提高是由于H3/E2增加引起薄膜的抗塑性變形能力增強和Ag低剪切強度的共同作用。
[Abstract]:Transition metal nitride (TMN, TM=Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W) films have high hardness, conductivity, wear and corrosion resistance, thermal stability, chemical stability and biocompatibility, the diffusion barrier has been widely used in aerospace, biomedical, microelectronics, automobile industry and other fields. In these applications, the friction and wear properties of thin film electrical and play a vital role, therefore improve these properties is necessary. The existing research shows that the conductivity and friction into second kinds of metal elements can change the film abrasion properties. But there are still the following problems: 1. the introduction of transition metal elements (1. Second) the introduction of transition metal structure in the end is how evolution, is the formation of a solid solution structure or multiphase mixed structure? The reported results also exist differences. (2) the introduction of the second kinds of transition metal conductivity is increased also Is reduced? Existing reported conflicting results. (3) what is the reason causing friction and wear performance is improved? Researchers have found that the introduction of second kinds of transition metal film can improve the friction and wear properties, but the mechanism is not the same. Some people think that H3/E2 value plays a decisive role, others attributed to oxide.2. introduction of metal silver. (1) the introduction of silver to transition metal nitride in silver content was less than 30 at.%, but the effect of high content of silver on the structure and properties of the films are rarely reported. (2) and the introduction of transition metals compared to the introduction of silver on the film structure and evolution to improve the performance on the impact and different? In view of the above problems, we use the co sputtering technique to hafnium nitride films were introduced into tantalum and silver, Hf-Ta-N films and Hf-Ag-N films with different compositions were prepared. By using X ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, transmission electron microscopy (TEM) characterization of phase structure by X ray photoelectron spectroscopy (XPS), X ray diffraction (EDS) analysis of thin film samples, using the Holzer test electrical properties, using scanning electron microscopy (SEM), optical microscopy, Nano Indenter and profilometer and friction wear tester etc. characterization of the friction and wear properties. The study found that: 1. both the content of Ta (x=Ta/ (Hf+Ta+N)) to change, Hf-Ta-N films have a solid solution structure. The conductivity by adding Ta in HfN films can improve the HfN film, this is attributed to the increase of electron concentration. This study found that, when x=0.03, the electrical conductivity of Hf-Ta-N thin films the (8.3 x 105 Sm-1 maximum, respectively) is pure HfN (4.9 * 105 Sm-1) and TaN (1.6 x 105 Sm-1) 1.7 times and 5.2 times. In addition, the introduction of appropriate Ta can reduce the wear rate and friction coefficient of the film, this is attributed to the increase of H/E and H3/E2 induced resistance to plastic film The deformation ability is enhanced, so that the wear resistance of the film increased. This study found that, in x=0.37, the wear rate (1.2 x 10-6 mm3/Nm) and friction coefficient (0.50) reached the minimum value, respectively, only pure HfN (11.6 * 10-6 and 0.65 mm3/Nm) and TaN (2.5 x 10-6 and 0.55 mm3/Nm 10%) and 77%, 49% and 91%.2. with the content of Ag (x=Ag/ (Hf+Ag+N)) increased, Hf-Ag-N film experience structure evolution of two stages: stage (I) when 0 x0.039, film is a solid solution of the rocksalt phase; (II) when x = 0.039 ~ 1, silver rich phase precipitation that film is a solid solution and silver rich phase coexisting structure. The introduction of Ag can improve the conductivity of HfN thin films and the friction and wear properties. This study found that, with x increased from 0 to 1, the film conductivity from 3.22 * 105 Sm-1 continuously increased to 33.1 x 105 Sm-1, which may be attributed to the introduction of Ag caused increase the electron concentration, and high content of Ag The film has the characteristics of metal Ag. When x=0.171, tribological properties of the optimal, the wear rate (0.54 x 10-6 mm3/Nm) and friction coefficient (0.38) compared to the pure HfN (16.7 * 10-6 and 0.62 mm3/Nm) were decreased by 96.8% and 38.7%, which is attributed to the interaction of solid solution strengthening of Ag and low shear strength degree. In addition, these results indicate that the alloying transition metal nitride is to improve the conductivity and friction and wear properties of the effective method. Compared with Hf-Ta-N films, the structure of Hf-Ag-N thin films changed from solid solution to the phase separation; the enhancement of conductivity are attributed to the Ag than the Ta has higher electron concentration that is more beneficial to improve the conductivity of the film; and the friction and wear behavior was improved by the combined effect of H3/E2 induced increase of film resistance to plastic deformation and enhance the ability of Ag low shear strength.
【學位授予單位】:吉林大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2017
【分類號】:TB383.2
【相似文獻】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 李作為,楊慶山,劉瑞霞;薄膜結(jié)構(gòu)褶皺研究述評[J];中國安全科學學報;2004年07期
2 李云良;田振輝;譚惠豐;;屈曲薄膜振動分析[J];工程力學;2008年11期
3 肖瀟;關(guān)富玲;程亮;;基于能量動量方法的空間薄膜結(jié)構(gòu)的展開分析[J];工程力學;2011年04期
4 譚惠豐;余建新;衛(wèi)劍征;;空間薄膜結(jié)構(gòu)動態(tài)測試研究最新進展[J];實驗力學;2012年04期
5 王燦;門玉濤;李林安;;含有界面裂紋薄膜的有限元分析[J];科學技術(shù)與工程;2007年16期
6 徐彥;關(guān)富玲;;可展開薄膜結(jié)構(gòu)折疊方式和展開過程研究[J];工程力學;2008年05期
7 譚惠豐;李云良;;薄膜后屈曲振動行為分析[J];哈爾濱工業(yè)大學學報;2011年S1期
8 立早;硬質(zhì)炭薄膜的制造技術(shù)[J];新型碳材料;1991年02期
9 姜訓勇,徐惠彬,蔣成保,宮聲凱;形狀記憶薄膜的研究進展[J];材料導報;2000年07期
10 劉文元;李馳麟;傅正文;;含氮磷酸鋰薄膜在空氣中的穩(wěn)定性[J];物理化學學報;2006年11期
相關(guān)會議論文 前10條
1 饒正清;楊慶山;;薄膜結(jié)構(gòu)褶皺處理方法[A];第十二屆全國結(jié)構(gòu)工程學術(shù)會議論文集第Ⅰ冊[C];2003年
2 薛峰;茍曉凡;周又和;;磁性夾雜/超導薄膜結(jié)構(gòu)力學特性研究[A];中國力學大會——2013論文摘要集[C];2013年
3 辛煜;方亮;陸新華;甘肇強;康健;葉超;程珊華;寧兆元;;微波ECR-CVD的宏觀參數(shù)對a-C:F膜結(jié)構(gòu)的影響[A];第四屆中國功能材料及其應用學術(shù)會議論文集[C];2001年
4 姬洪;;探索在普通衍射儀上分析薄膜的途徑[A];第八屆全國X射線衍射學術(shù)會議論文集[C];2003年
5 楊易;金新陽;楊立國;;薄膜結(jié)構(gòu)風荷載數(shù)值模擬的新方法和應用[A];第十四屆全國結(jié)構(gòu)風工程學術(shù)會議論文集(下冊)[C];2009年
6 宋昌永;沈世釗;;薄膜結(jié)構(gòu)的形狀確定分析[A];第六屆空間結(jié)構(gòu)學術(shù)會議論文集[C];1996年
7 王友善;王長國;杜星文;;薄膜充氣梁的皺曲行為分析[A];第十五屆全國復合材料學術(shù)會議論文集(下冊)[C];2008年
8 宋昌永;王樹斌;;薄膜結(jié)構(gòu)中索滑動對結(jié)構(gòu)性能的影響[A];第十屆全國結(jié)構(gòu)工程學術(shù)會議論文集第Ⅰ卷[C];2001年
9 馬平;胡建平;唐明;邱服民;王震;于杰;;高功率激光薄膜及相關(guān)檢測技術(shù)[A];中國工程物理研究院科技年報(2005)[C];2005年
10 魏玉卿;尚仰宏;;空間薄膜結(jié)構(gòu)張拉系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計[A];中國電子學會電子機械工程分會2009年機械電子學學術(shù)會議論文集[C];2009年
相關(guān)重要報紙文章 前1條
1 呂軍鋒;薄膜表面極性火焰處理技術(shù)的原理及其特點[N];中國包裝報;2009年
相關(guān)博士學位論文 前10條
1 王長國;空間薄膜結(jié)構(gòu)皺曲行為與特性研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2007年
2 羅勝耘;磁控濺射制備多層TiO_2薄膜的光電化學特性研究[D];復旦大學;2014年
3 秦國平;銦(銅)-氮共摻p型氧化鋅薄膜的制備和性能研究[D];重慶大學;2015年
4 何劍;氫化非晶硅薄膜結(jié)構(gòu)及其物理效應[D];電子科技大學;2015年
5 劉濤;納米鐵磁金屬粉體及鐵氧體薄膜微波磁共振特性研究[D];電子科技大學;2014年
6 楊蒙蒙;VO_2外延薄膜的制備和相變機理研究[D];中國科學技術(shù)大學;2015年
7 張化福;納米氧化釩薄膜的低溫制備及結(jié)構(gòu)與相變性能研究[D];電子科技大學;2014年
8 趙昊巖;溶液法制備有機晶態(tài)薄膜及其晶體管特性研究[D];清華大學;2015年
9 呂品;Bi_2S_3/CdS/TiO_2納米結(jié)構(gòu)薄膜的制備及其光電化學特性研究[D];吉林大學;2016年
10 石亞平;聚酰亞胺表面TiO_2薄膜的室溫SILAR法生長行為與光催化性能[D];哈爾濱工業(yè)大學;2016年
相關(guān)碩士學位論文 前10條
1 李敏;共摻雜LiNbO_3薄膜鐵磁性鐵電性能的研究[D];天津理工大學;2015年
2 張創(chuàng)立;納米α-Fe_20_3/Ti0_2薄膜的制備及其光解水制氫研究[D];天津理工大學;2015年
3 王翠娟;B位異價元素摻雜BiFeO_3薄膜的制備與性能研究[D];山東建筑大學;2015年
4 阿立瑪;摻鈰與摻鉻對于鐵酸鉍薄膜鐵電性影響的研究[D];內(nèi)蒙古大學;2015年
5 石璐丹;電沉積制備硫族電池薄膜及其性能研究[D];山東建筑大學;2015年
6 張美杰;射頻磁控濺射制備金屬/CrN薄膜及其特性研究[D];延邊大學;2015年
7 王艷艷;液相法制備Ti0_2和Cu_2S薄膜的摩擦學性能的研究[D];青島理工大學;2015年
8 臺運東;高功率脈沖磁控濺射技術(shù)制備Ti-Cu薄膜及血小板粘附件為[D];西南交通大學;2015年
9 張旭;有機/無機雜化鈣鈦礦薄膜的制備及其性能研究[D];內(nèi)蒙古大學;2015年
10 張帥拓;多弧離子鍍制備TiN/TiCrN/TiCrAIN多層硬質(zhì)膜的研究[D];沈陽大學;2015年
,本文編號:1432877
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/1432877.html