納米MgO晶體制備及其二次電子發(fā)射系數(shù)理論研究
發(fā)布時間:2018-01-14 17:25
本文關(guān)鍵詞:納米MgO晶體制備及其二次電子發(fā)射系數(shù)理論研究 出處:《液晶與顯示》2017年06期 論文類型:期刊論文
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【摘要】:為了研究MgO晶體和二次電子發(fā)射效率間的關(guān)系,分析了直接沉淀鎂鹽法生成Mg(OH)_2以及三段式溫度煅燒Mg(OH)_2制備MgO晶體的過程,并使用掃描電鏡和XRD對制成的MgO晶體進(jìn)行了表征。在此基礎(chǔ)上,采用第一性原理對MgO晶體的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度進(jìn)行了計算,分析了晶體表面的結(jié)晶取向?qū)gO二次電子發(fā)射系數(shù)的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,本方法制備的MgO為立方晶體,且晶粒尺寸均勻分布在40.65nm附近,晶面取向?yàn)?200)、(111)、(220),并沿(200)取向擇優(yōu)生長。常見的(110)、(100)和(111)三種晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶體禁帶寬度最低,材料表面的二次電子發(fā)射系數(shù)相對較高。
[Abstract]:In order to study the relationship between MgO crystal and secondary electron emission efficiency. The formation of Mg(OH)_2 by direct precipitation of magnesium salt and the preparation of MgO crystals by calcined Mg(OH)_2 at three-stage temperature were analyzed. The MgO crystal was characterized by scanning electron microscope and XRD. On this basis, the energy band structure and density of states of MgO crystal were calculated by first principle. The effect of crystal orientation on the secondary electron emission coefficient of MgO was analyzed. The experimental results show that the MgO prepared by this method is cubic crystal and the grain size is distributed uniformly around 40.65 nm. The orientation of the crystal plane is in the order of 200 ~ (1) ~ (11 ~ (1)) ~ (20 ~ (20)), and the preferred growth is along the direction of ~ (200). The common orientation of the crystal plane is in the three kinds of crystal plane orientations, I. e., (110) and ((111)). The band gap of MgO crystal with surface orientation is the lowest, and the secondary electron emission coefficient is relatively high.
【作者單位】: 北方民族大學(xué)電氣信息工程學(xué)院;寧夏大學(xué)能源化工重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(No.61461001) 寧夏自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目(No.NZ13083)~~
【分類號】:O614.22;TB383.1
【正文快照】: MgO是一種金屬氧化物材料,具有較好的絕緣性、化學(xué)惰性和抗濺射能力。由于MgO本身二次電子發(fā)射系數(shù)高、工作性能穩(wěn)定、可承受大的電流密度、且工藝過程簡單,被廣泛應(yīng)用于二次電子發(fā)射極性材料,是平板顯示器件[1]以及光電子分析探測儀器的重要部件[2-3]。在相關(guān)研究領(lǐng)域中,MgO
【相似文獻(xiàn)】
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1 殷明志;姚熹;;MgO薄膜的制備和二次電子發(fā)射性能的表征[J];西北工業(yè)大學(xué)學(xué)報;2006年04期
,本文編號:1424576
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