本文關(guān)鍵詞：PbS微納米線的力電學性能研究　出處：《南昌大學》2015年碩士論文　論文類型：學位論文

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【摘要】：目前,半導體領(lǐng)域中,已有的半導體材料和技術(shù)的研究已經(jīng)達到了物理臨界點,新的技術(shù)突破迫在眉睫。近年來,在非易失性隨機存取存儲器(NRAM)領(lǐng)域中發(fā)展微納米級的金屬-半導體-金屬(MSM)體系已成為一項非常重要的技術(shù),并越來越受到各界的關(guān)注。PbS是一種重要的半導體材料,由于其帶隙寬度是0.41eV,并且有較大的激子波爾半徑(18nm),所以PbS有很多優(yōu)良的光學和電學性能,被廣泛的應(yīng)用于非線性光學器件、紅外探測器和顯示器中。本實驗中,我們將PbS微納米線應(yīng)用到阻變式存儲器和壓阻式存儲器中,并詳細的研究了他們的電阻開關(guān)和存儲特性。首先將單根PbS微納米線放在塑料基底上,然后用銀漿在兩端焊上電極,接上銅導線,就制得了阻變式存儲器件。壓阻式存儲器件則需另外均勻的覆蓋一層PDMS。實驗中,通過在器件Ag和PbS的界面處退火來研究熱處理對開關(guān)效應(yīng)和存儲效應(yīng)的影響。研究表明,器件未退火時,其表現(xiàn)出一個明顯的對稱式電阻開關(guān)特性,并且I-V曲線有較大的遲滯,這說明器件有很好的非易失性數(shù)據(jù)存儲能力。而器件一端退火時,卻表現(xiàn)出典型的雙極性電阻開關(guān)效應(yīng),當在器件未退火端加上一個較小的負偏壓時,器件基本不導通。隨著負偏壓的增大,器件電流在閥值電壓(0.3V-0.8V)下會突然增大。另外,當器件兩端都退火時,其表現(xiàn)出類電阻開關(guān)效應(yīng),并且I-V曲線的遲滯性較小,說明器件的數(shù)據(jù)存儲能力很弱。此外,我們還研究了器件的壓阻開關(guān)和壓阻式存儲性能。當器件被加上一個應(yīng)變?yōu)?0.26%的壓應(yīng)力時,其電阻從17 M?減小到18 K?,表現(xiàn)出很大的off/on電阻比(944)和應(yīng)變系數(shù)(3.6×105)。當器件被加上一個應(yīng)變?yōu)?.26%的張應(yīng)力時,其電阻從73 k?增加到97 M?,同樣有很高的off/on電阻比(1328)和應(yīng)變系數(shù)(5.1×105)。
[Abstract]:In the field of semiconductor , the research of semiconductor materials and technologies has reached the physical critical point . In recent years , the development of micro - nano metal - semiconductor - metal ( MSM ) systems in the field of non - volatile random access memory ( NRAM ) has become a very important technology .

【學位授予單位】：南昌大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：O614.433;TB383.1

【共引文獻】

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本文編號：1399686