發(fā)布時(shí)間：2018-01-07 13:18

  本文關(guān)鍵詞：用于光電化學(xué)氧化氯酸鹽的釩酸鉍光電陽(yáng)極的合成與表征（英文）　出處：《催化學(xué)報(bào)》2017年04期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 釩酸鉍 光催化 電子-空穴對(duì) 氯酸鹽氧化 光化學(xué)反應(yīng)

【摘要】：采用便捷的涉及電沉積和退火過(guò)程的兩步法在F摻雜的氧化錫基體上制備了高品質(zhì)的多晶釩酸鉍(BiVO_4)薄膜,并運(yùn)用掃描電鏡、透射電鏡、X射線衍射(XRD)、傅里葉變換紅外光譜、紫外-可見(jiàn)光吸收光譜和拉曼光譜表征了所制薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)特征.XRD和光學(xué)分析結(jié)果表明,BiVO_4薄膜為純相的單斜白鎢礦晶相結(jié)構(gòu).將該薄膜通過(guò)電化學(xué)(EC),光化學(xué)(PC)和光電化學(xué)(PEC)過(guò)程用于水溶液中氯酸離子的多相氧化反應(yīng)中.采用紫外-可見(jiàn)吸附光譜儀監(jiān)測(cè)氯酸鹽濃度的降低.結(jié)果發(fā)現(xiàn),在光的照射下采用PEC法時(shí),BiVO_4可有效催化氯酸鹽的氧化.氯酸鹽氧化反應(yīng)級(jí)數(shù)為1級(jí),PEC過(guò)程的反應(yīng)速率常數(shù)明顯高于EC和PC過(guò)程的.同時(shí),提出了基于形成了高氯酸離子的催化氧化氯酸鹽的反應(yīng)機(jī)理.
[Abstract]:High quality polycrystalline bismuth vanadate BiVO4 thin films were prepared on F doped tin oxide substrates by a convenient two-step method involving electrodeposition and annealing. Scanning electron microscopy and transmission electron microscopy were used. X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), UV-Vis absorption spectra and Raman spectra were used to characterize the morphology and structure of the films. The BiVO_4 thin film is a monoclinic scheelite crystal structure with pure phase. The photochemical and photochemical PECs were used in the multiphase oxidation of chlorate ions in aqueous solution. UV-Vis adsorption spectrometer was used to monitor the decrease of chlorate concentration. BiVOC _ 4 can effectively catalyze the oxidation of chlorate by PEC method under the irradiation of light. The order of oxidation of chlorate is 1 order. The reaction rate constant of PEC process is obviously higher than that of EC and PC processes. At the same time, the mechanism of catalytic oxidation of chlorates based on the formation of perchloric acid ions is proposed.
【作者單位】： 馬利什泰爾大學(xué)科技大學(xué)化學(xué)系;馬贊達(dá)蘭大學(xué)化學(xué)學(xué)院電分析化學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TB383.2;O644.1
【正文快照】： 1.Introduction light of sufficient energy(hυ ≥ band gap,Eg),charge separation is induced,resulting in the formation of reactive electrons(e-) During the past decades,a large variety of advanced oxida-and holes(h+).These charge carriers can initiate oxi

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本文編號(hào)：1392714