本文關(guān)鍵詞：低維半導(dǎo)體納米材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的第一性原理研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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【物理論文】低維半導(dǎo)體納米材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的第一性原理研究 分類號:0469密級:單位代碼:10422學(xué)號:200711214⑧∥菇辦孚博士學(xué)位論文論文題目:低維半導(dǎo)體納米材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)的第一性原理研究Low-—Dimensional Semiconductor Nanomaterials andHetero--structures:The First Principle Calculations合作導(dǎo)師2012年05月 04日T 1h●‘’d ‘_一一一一 11LOW-Ulmensional Semiconductor N anomaterials andHetero-·strctures:The First Principle CalculationsZhenhai,WangA Dissertation Presented in Partial Fullfillmentof the Requirements for the Degree ofDoctor of PhilosophymCondensed Matter PhysicsShandong UniversityMay 2012原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明:所呈交的學(xué)位論文,是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下,獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外,本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的科研成果。對本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體,均已在文中以明確方式標(biāo)明。本聲明的法律責(zé)任由本人承擔(dān)。論文作者簽名:a魚墾坦日期:砂!蘭!羔.蟹關(guān)于學(xué)位論文使用授權(quán)的聲明本人同意學(xué)校保留或向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的印刷件和電子版,允許論文被查閱和... 內(nèi)容來自轉(zhuǎn)載請標(biāo)明出處.

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