小靶大基片鍍膜的膜厚均勻性分析
本文關鍵詞:小靶大基片鍍膜的膜厚均勻性分析 出處:《表面技術》2017年02期 論文類型:期刊論文
更多相關文章: 磁控濺射 沉積速率 理論模型 膜厚均勻性 停頓時間 移動步長
【摘要】:目的通過改變傳統(tǒng)基片與靶材的相對運動方式,來實現(xiàn)小靶材在大面積基片上的均勻鍍膜。方法采用基片繞中心軸做勻速旋轉運動,靶材沿著基片半徑做直線間歇運動,并建立了相應的理論模型,通過數(shù)值分析軟件MATLAB對膜厚進行分析擬合,研究靶基距、偏心距、靶材運動方式對膜層均勻度的影響。結果在靶基距H=30 mm時,膜厚均勻性主要受到兩個重要參數(shù)的影響:靶材在各徑向運動等距點的停頓時間T和移動步長d。與靶材在各徑向運動等距點的停頓時間T=C(C為常數(shù))的情況相比,當靶材的停頓時間T與其在基片上的覆蓋面積A成正比增加時,膜厚的均勻性得到極大的改善。同時,膜厚的均勻性很大程度上取決于靶材的移動步長,膜層之間的差異性隨著移動步長的減小而減小,結果顯示當移動步長d=5mm時的膜厚均勻性最佳。改善基片中心附近的膜厚分布可以通過增加靶基距來實現(xiàn),結果顯示在偏心距e=0 mm、靶基距H≥70 mm時,膜厚相對偏差δ均小于0.1。結論該方法改變了傳統(tǒng)靶材固定不動的方式,在薄膜沉積過程中,通過調節(jié)靶材的移動步長和停頓時間,能有效減小膜層之間的差異,從而獲得均勻度較高的薄膜,對實際生產具有指導意義。
[Abstract]:To change the traditional way through the relative movement of the substrate and the target, to achieve small target in large area uniform coating on the substrate. The substrate around the center axis of uniform rotation motion, the target of the substrate radius of linear intermittent movement, and set up a theoretical model, through the numerical analysis software of MATLAB film thickness were analyzed, research target substrate distance, eccentricity, influence of target movement uniformity on the film. The results in the target substrate distance H=30 mm. The influence of film thickness uniformity are two important parameters: the target in the radial movement from the point of pause time T and mobile D. and target in step the radial motion of equidistant pause time T=C (C constant) compared to the case when the pause time of T target and in the substrate on the A coverage area is proportional to the increase, the uniformity of film thickness has been greatly improved. At the same time, the average film thickness Uniformity depends largely on the target moving step, the difference between film layers decreases with the moving step, the results show that when the moving step d=5mm when the film thickness uniformity. The best improvement near the center of the substrate thickness can be increased by the target substrate distance to achieve results in the eccentricity e=0 mm H, target substrate distance greater than 70 mm when the film thickness is less than 0.1.. The relative deviation of conclusion this method has changed the traditional way of target fixed, in the film deposition process, by adjusting the target moving step and the pause time, can effectively reduce the differences between film layers and thin films can be obtained more uniform, with guiding significance for the actual production.
【作者單位】: 陜西科技大學機電工程學院;
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: Received:2016-07-14;Revised:2016-10-15在真空鍍膜中,膜厚的均勻性直接影響鍍膜設備的性能,一般情況下都要求鍍膜面內的膜厚分布盡可能均勻一致,即薄膜具有較好的均勻性[1]。針對磁控濺射鍍膜而言,其具有較高的沉積速度、較低的制造成本以及適用于難熔金屬以及化合物等優(yōu)點,
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,本文編號:1378375
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