本文關(guān)鍵詞：電化學(xué)生長(zhǎng)納米枝狀ZnO及其場(chǎng)發(fā)射性能研究　出處：《納米技術(shù)與精密工程》2017年01期 　論文類(lèi)型：期刊論文

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【摘要】：采用電化學(xué)沉積法在陰離子表面活性劑十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)的作用下生長(zhǎng)納米枝狀氧化鋅(ZnO),通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)和場(chǎng)發(fā)射測(cè)試,系統(tǒng)研究了不同沉積時(shí)間下納米枝狀ZnO的形貌、結(jié)構(gòu)與場(chǎng)發(fā)射性能.研究結(jié)果表明:由于表面活性劑中陰離子的位阻效應(yīng),導(dǎo)致在ZnO主干上電化學(xué)生長(zhǎng)了多個(gè)ZnO的分枝,并且納米枝狀ZnO的場(chǎng)發(fā)射性能隨著沉積時(shí)間的增加出現(xiàn)先升高后降低的趨勢(shì).其場(chǎng)發(fā)射性能的提高主要取決于ZnO主干上分枝的形貌和密度,在沉積時(shí)間為90 min時(shí),每支ZnO的主干上分別生長(zhǎng)了約2~10個(gè)分枝,獲得最佳的納米枝狀ZnO場(chǎng)發(fā)射性能,開(kāi)啟場(chǎng)強(qiáng)低至1.54 V/μm,場(chǎng)增強(qiáng)因子高達(dá)59 739.
[Abstract]:Nanocrystalline zinc oxide (ZnO) was grown by electrochemical deposition under the action of anionic surfactant 12 sodium alkylbenzene sulfonate (SDBS). X-ray diffraction (XRD) and field emission measurements were used to study the morphology of nanocrystalline dendritic ZnO at different deposition times. The structure and field emission properties. The results show that the branching of ZnO on the ZnO backbone is due to the steric resistance of anions in surfactants. The field emission properties of nanocrystalline dendritic ZnO increased first and then decreased with the increase of deposition time. The improvement of field emission performance mainly depended on the morphology and density of branches on the ZnO trunk. At the deposition time of 90 min, about 2 ~ 10 branches were grown on the main stem of each ZnO, and the best field emission properties of nanocrystalline dendritic ZnO were obtained. The field intensity is as low as 1.54 V / 渭 m, and the field enhancement factor is as high as 59,739.
【作者單位】： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;集美大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：福建省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2014J01236) 福建省科技重大專(zhuān)項(xiàng)資助項(xiàng)目(2014HZ0003-1) 福建省資助省屬高校專(zhuān)項(xiàng)課題資助項(xiàng)目(JK2014003) 廈門(mén)市科技局資助項(xiàng)目(3502Z20143024)
【分類(lèi)號(hào)】：TQ132.41;TB383.1
【正文快照】： 伴隨著微納加工技術(shù)和納米材料制備技術(shù)的不斷發(fā)展,人們成功地獲得各種準(zhǔn)一維場(chǎng)發(fā)射材料,如碳納米管(CNTs)[1]、Cu O[2]、Si[3]等,因其具有較高的幾何長(zhǎng)徑比,能夠獲得較大的場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng),可作為高效的場(chǎng)發(fā)射電子源用于各種真空微電子器件.一維納米材料可以直接有效地進(jìn)行電子傳

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4 劉釗;閆國(guó)慶;賴嘉霖;李成W，

本文編號(hào)：1375836